Заказ: 1155583

11(УО). Входная характеристика биполярного транзистора КТ805, т.е. зависимость между iб = f(uбэ), аппроксимирована зависимостью К промежутку база – эмиттер приложено напряжение uбэ(t) = 0,4 + 0,75cosωt, В. Определите мощность Pб, выделяемую в цепи базы.

11(УО). Входная характеристика биполярного транзистора КТ805, т.е. зависимость между iб = f(uбэ), аппроксимирована зависимостью К промежутку база – эмиттер приложено напряжение uбэ(t) = 0,4 + 0,75cosωt, В. Определите мощность Pб, выделяемую в цепи базы.
Описание

Подробное решение в WORD





Предварительный просмотр

11(УО). Входная характеристика биполярного транзистора КТ805, т.е. зависимость между iб = f(uбэ), аппроксимирована зависимостью К промежутку база – эмиттер приложено напряжение uбэ(t) = 0,4 + 0,75cosωt, В. Определите мощность Pб, выделяемую в цепи базы.