Ирина Эланс
Заказ: 1042578
Для коммутируемой ЭТЦ на рисунке дано: R=400 Ом, L=40 мГн, С=2мкФ. Определить время переходного процесса tn.
Для коммутируемой ЭТЦ на рисунке дано: R=400 Ом, L=40 мГн, С=2мкФ. Определить время переходного процесса tn.
Описание
Подробное решение в WORD
- Для комплексного соединения [Cu(H2O)2(NH3)4]SO4: 1) указать комплексный ион и ионы внешней сферы, определить заряд комплексного иона; 2) указать комплексообразователь, лиганды. 3) определить степень окисления и координационное число ком- плексообразователя. 4) назвать комплексное соединение. 5) записать уравнения процессов электролитической диссоциации.
- Для комплексного соединения состава Fe(CN)2*4KCN, к.ч. = 6: 1) записать координационную формулу. 2) дать название. 3) записать уравнения процессов электролитической диссоциации. 4) написать выражение для константы нестойкости.
- Для комплексного числа в показательной форме z = 2e(π/3)i найти его алгебраическую форму
- Для комплексного числа в показательной форме найти его алгебраическую форму.
- Для консоли, изображённой на рисунке, требуется: 1.Определить опорные реакции; 2.Вычислить величины внутренних усилий в характерных сечениях и построить эпюры внутренних усилий.
- Для консольной балки (рис) требуется - построить эпюры перерезывающих сил и изгибающих моментов - из расчета на прочность найти прямоугольное сечение (h/b = 2), круглое, сечение двутавра и швеллера, если a = 4м, b = 2м, F = 16 кН, М = 9 кНм, [q] = 160 МПа
- Для контроля была отобрана партия изделий объемом 390 штук, причем 83 шт. оказались бракованными. Найти точечную и интервальную оценку вероятности брака одного изделия. Коэффициент доверия принять равным 0,99. Какой минимальный объем выборки (партии) следует взять, чтобы относительная частота бракованных изделий отличалась от вероятности брака не более чем на 2%.
- Для колебательного контура, представленного на рисунке Дано: Q = 100, r = 10 Ом, ωр = 106 рад/с, Е = 4 В Вопрос 1: определите резонансное сопротивление, ответ приведите в [Ом]. Вопрос 2: определите характеристическое сопротивление, ответ приведите в [кОм]. Вопрос 3: определите ширину полосы пропускания АЧХ, ответ приведите в [х103 рад/с]. Вопрос 4: определите емкость конденсатора, ответ приведите в [нФ]. Вопрос 5: определите амплитуду напряжения на конденсаторе, если частота источника равна резонансной; ответ приведите в [В]. Вопрос 6: определите начальную фазу напряжения на конденсаторе, если частота источника равна резонансной; ответ приведите в градусах. Вопрос 7: определите амплитуду напряжения на конденсаторе, если частота источника соответствует нижней границе полосы пропускания; ответ приведите в [В]. Вопрос 8: определите начальную фазу напряжения на конденсаторе, если частота источника соответствует нижней границе полосы пропускания; ответ приведите в градусах. Вопрос 9: как изменится добротность при уменьшении L в 4 раза; приведите новое значение добротности. Вопрос 10: как изменится полоса пропускания при уменьшении L в 4 раза; приведите новое значение полосы пропускания в [х103 рад/с].
- Для колебательного контура, представленного на рисунке Дано: Q = 100, r = 10 Ом, ωр = 106 рад/с, Е = 4 В Вопрос 1: определите резонансное сопротивление, ответ приведите в [Ом]. Вопрос 2: определите характеристическое сопротивление, ответ приведите в [кОм]. Вопрос 3: определите ширину полосы пропускания АЧХ, ответ приведите в [х103 рад/с]. Вопрос 4: определите емкость конденсатора, ответ приведите в [нФ]. Вопрос 5: определите амплитуду напряжения на конденсаторе, если частота источника равна резонансной; ответ приведите в [В]. Вопрос 6: определите начальную фазу напряжения на конденсаторе, если частота источника равна резонансной; ответ приведите в градусах. Вопрос 7: определите амплитуду напряжения на конденсаторе, если частота источника соответствует нижней границе полосы пропускания; ответ приведите в [В]. Вопрос 8: определите начальную фазу напряжения на конденсаторе, если частота источника соответствует нижней границе полосы пропускания; ответ приведите в градусах. Вопрос 9: как изменится добротность при уменьшении L в 4 раза; приведите новое значение добротности. Вопрос 10: как изменится полоса пропускания при уменьшении L в 4 раза; приведите новое значение полосы пропускания в [х103 рад/с].
- Для колебательного контура, представленного на рисункеДано: Q = 50, r = 5 Ом, ωр = 106 рад/с, Е = 2 В Вопрос 1: определите резонансное сопротивление, ответ приведите в [Ом]. Вопрос 2: определите характеристическое сопротивление, ответ приведите в [Ом]. Вопрос 3: определите ширину полосы пропускания АЧХ, ответ приведите в [х103 рад/с]. Вопрос 4: определите индуктивность катушки, ответ приведите в [мкГн]. Вопрос 5: определите амплитуду напряжения на катушке индуктивности, если частота источника равна резонансной; ответ приведите в [В]. Вопрос 6: определите начальную фазу напряжения на катушке индуктивности, если частота источника равна резонансной; ответ приведите в градусах. Вопрос 7: определите амплитуду напряжения на катушке индуктивности, если частота источника соответствует нижней границе полосы пропускания; ответ приведите в [В]. Вопрос 8: определите начальную фазу напряжения на катушке индуктивности, если частота источника соответствует нижней границе полосы пропускания; ответ приведите в градусах. Вопрос 9: как изменится добротность при увеличении L в 4 раза; приведите новое значение добротности. Вопрос 10: как изменится полоса пропускания при увеличении L в 4 раза; приведите новое значение полосы пропускания в [х103 рад/с]
- Для колебательного контура, представленного на рисункеДано: Q = 50, r = 5 Ом, ωр = 106 рад/с, Е = 2 В Вопрос 1: определите резонансное сопротивление, ответ приведите в [Ом]. Вопрос 2: определите характеристическое сопротивление, ответ приведите в [Ом]. Вопрос 3: определите ширину полосы пропускания АЧХ, ответ приведите в [х103 рад/с]. Вопрос 4: определите индуктивность катушки, ответ приведите в [мкГн]. Вопрос 5: определите амплитуду напряжения на катушке индуктивности, если частота источника равна резонансной; ответ приведите в [В]. Вопрос 6: определите начальную фазу напряжения на катушке индуктивности, если частота источника равна резонансной; ответ приведите в градусах. Вопрос 7: определите амплитуду напряжения на катушке индуктивности, если частота источника соответствует нижней границе полосы пропускания; ответ приведите в [В]. Вопрос 8: определите начальную фазу напряжения на катушке индуктивности, если частота источника соответствует нижней границе полосы пропускания; ответ приведите в градусах. Вопрос 9: как изменится добротность при увеличении L в 4 раза; приведите новое значение добротности. Вопрос 10: как изменится полоса пропускания при увеличении L в 4 раза; приведите новое значение полосы пропускания в [х103 рад/с]
- Для коммутируемой ЭТЦ на рисунке дано: R=100 Ом, L=80 мГн, С=1 мкФ. Определить время переходного процесса tn.
- Для коммутируемой ЭТЦ на рисунке дано: R=100 Ом, L=80 мГн, С=1 мкФ. Определить время переходного процесса tn.
- Для коммутируемой ЭТЦ на рисунке дано: R=400 Ом, L=40 мГн, С=2мкФ. Определить время переходного процесса tn.
Предварительный просмотр
