Ирина Эланс
Заказ: 1044341
Для полупроводника, имеющего форму куба со стороной l, измерено сопротивление без освещения R0 и при освещении R. Найдите концентрацию электронов Δn и дырок Δр, обусловленную освещением, если их подвижность μn и μp. Считать Δn = Δp.
Для полупроводника, имеющего форму куба со стороной l, измерено сопротивление без освещения R0 и при освещении R. Найдите концентрацию электронов Δn и дырок Δр, обусловленную освещением, если их подвижность μn и μp. Считать Δn = Δp.
Описание
Подробное решение в WORD
- Для полусферического заземлителя, расположенного в грунте с γ = 0.01*1/Ом*м. известен радиус R0 = 2.5 м и напряжение U0 = 500 кВ. Определить ток I0 (кА), мощность активных потерь в грунте Ру (МВт) и шаговое напряэение U (кВ) на расстоянии r = 10 м от заземлителя при шаге l = 0.7 м.
- Для получения газированной воды через воду пропускают сжатый углекислый газ. Почему температура воды при этом понижается
- Для получения на экране MN (рис. 120) интерференционной картины поместили источник света S над поверхностью плоского зеркала А на малом расстоянии от него. Объяснить причину возникновения системы когерентных световых волн
- Для получения примесной проводимости нужного типа в полупроводниковой технике часто применяют фосфор, галлий, мышьяк, индий, сурьму. Какие из этих элементов можно ввести в качестве примеси в германий, чтобы получить электронную проводимость
- Для получения хорошей шлифовки детали скорость крайних точек абразивного круга не должна превышать v – 47 м/с. Определите наибольшее число оборотов в секунду для абразивного круга диаметром d = 30 см.
- Для полученной схемы записать систему уравнений по законам Кирхгофа (для нахождения токов). 2. Рассчитать все токи по методу контурных токов (МКТ). 3. Проверить результаты расчета по уравнению баланса мощностей. 4. Рассчитать все токи по методу узловых потенциалов. 5. Рассчитать указанный в карточке ток методом наложения. При определении составляющих искомого тока от каждого из источников энергии в отдельности использовать рациональные преобразования схемы. 6. Рассчитать указанный в карточке ток методом эквивалентного генератора, рассматривая схему относительно указанной ветви как активный двухполюсник. Вариант 1912
- Для полученной схемы записать систему уравнений по законам Кирхгофа (для нахождения токов). 2. Рассчитать все токи по методу контурных токов (МКТ). 3. Проверить результаты расчета по уравнению баланса мощностей. 4. Рассчитать все токи по методу узловых потенциалов. 5. Рассчитать указанный в карточке ток методом наложения. При определении составляющих искомого тока от каждого из источников энергии в отдельности использовать рациональные преобразования схемы. 6. Рассчитать указанный в карточке ток методом эквивалентного генератора, рассматривая схему относительно указанной ветви как активный двухполюсник. Вариант 1912
- Для поддержания постоянства тока в цепи накала электронной лампы (rн), питаемой от аккумуляторной батареи (U = 24 В), применен барретер типа Б-3. Определить, чему должны быть равны сопротивления r1 и r2, включаемые как показано на рисунке 21.а, если напряжение на нити накала U1 = 6,3 В, а ток нити накала I1 = 0,7 А. Границы участка, на котором значение тока поддерживается практически стабильным, определяются следующими величинами: Ufl = 10 В, Ifl = 0,97 А; Uf2 = 17 В, If2 = 1,03 А. На рис. 21, б представлена зависимость тока от напряжения для барретера типа Б-3. Барретер (бареттер) представляет собой заполненный водородом стеклянный баллон, внутрь которого помещена тонкая платиновая, железная или вольфрамовая проволока (нить). Принцип действия состоит в том, что при увеличении приложенного напряжения возрастает температура нити накала и, следовательно, ее сопротивление. В результате при изменении напряжения на бареттере сила тока практически не изменяется. Таким образом, бареттер, включенный последовательно с нагрузкой, поддерживает в ней стабильный ток при изменениях напряжения питания.
- Для поддержания постоянства тока в цепи накала электронной лампы (rн), питаемой от аккумуляторной батареи (U = 24 В), применен барретер типа Б-3. Определить, чему должны быть равны сопротивления r1 и r2, включаемые как показано на рисунке 21.а, если напряжение на нити накала U1 = 6,3 В, а ток нити накала I1 = 0,7 А. Границы участка, на котором значение тока поддерживается практически стабильным, определяются следующими величинами: Ufl = 10 В, Ifl = 0,97 А; Uf2 = 17 В, If2 = 1,03 А. На рис. 21, б представлена зависимость тока от напряжения для барретера типа Б-3. Барретер (бареттер) представляет собой заполненный водородом стеклянный баллон, внутрь которого помещена тонкая платиновая, железная или вольфрамовая проволока (нить). Принцип действия состоит в том, что при увеличении приложенного напряжения возрастает температура нити накала и, следовательно, ее сопротивление. В результате при изменении напряжения на бареттере сила тока практически не изменяется. Таким образом, бареттер, включенный последовательно с нагрузкой, поддерживает в ней стабильный ток при изменениях напряжения питания.
- Для покрытия цинком металлических изделий в электролитическую ванну помещен цинковый электрод массой m=0,01 кг. Какой заряд должен пройти через ванну, чтобы электрод полностью израсходовался? Электрохимический эквивалент цинка k=3,4·10-7 кг/Кл.
- Для полевого транзистора стабилизация рабочей точки - не требуется - требуется всегда, как и для биполярного транзистора - требуется только при работе в особых условиях - не требуется, если рабочая точка выбрана особым образом
- Для полного хлорирования 8,8 г порошковой смеси железа и меди потребовалось 4,48 л хлора (при н.у.) Определите, какие массы 89%-ной серной кислоты и 36,5%-ной соляной кислоты прореагируют с 8,8 г этой смеси на холоде. Рассчитайте массовые доли металлов в этой смеси.
- Для полной нейтрализации 1 г некоторой двух основной кислоты потребовалось 111,1 мл 0,2н NaOH. Найти молекулярный вес кислоты.
- Для полупроводника из Si проводимости в n- и p- областях σn = 8 [1/(Ом·см)] и σp = 2,4 [1/(Ом·см)]; μn = 500(см2/В·с); μр = 300(см2/В·с). Собственная концентрация примесей в Si: ni =1,45·1010(1/см3); εo = 8,85·10–14(Ф/см); εSi = 12(безр). Определить: 1) контактную разность потенциалов (φК); 2) ширину p-n-перехода со стороны n- и p- областей dn и dp, а также полную ширину перехода d = (dn+dp). 3) напряженность контактного поля ЕМ при T = 300 К.
