Ирина Эланс
Заказ: 1000472
Найти h – параметры транзистора ГТ322А
Найти h – параметры транзистора ГТ322А
Описание
Найти h – параметры транзистора ГТ322А по его характеристикам, соответствующим схеме с общим эмиттером для U_к=5 В и I_б=150 мкА.
- Найти h-параметры транзистора ГТ322А по его характеристикам (рис. 9.12, а,б), соответствующим схеме с общим эмиттером (рис. 9.12, в), для Uk = 5 В и Iб = 150 мкА. Начертить схему замещения транзистора.
- Найти I0, U. Построить векторную диаграмма для режима резонанса.
- Найти I0, U. Построить векторную диаграмма для режима резонанса.
- Найти: I1 = ?, I2 = ?, E = ?
- Найти: I1 = ?, I2 = ?, E = ?
- Найти I1, I2, I3
- Найти I1, I2, I3
- Найти E(Y) и D(X) для случайного дискретного вектора (Х;Y), распределенного по закону:
- Найти f'(x), если f(x) = 3√6x2-5
- Найти grad u и |grad u| в точке M(3, 2, 1), если u=4-x2-y2+z2.
- Найти grad z(M), если z = √x2 + y2 , М(3;2).
- Найти ∆H0 и Qp для случая, когда прореагирует 156 г С2Н2
- Найти h1(t), h(t) и h2(t) для указанной реакции f2(t); построить графики h1(t) и h(t). Вычислить f2(t) для воздействия f1(t), заданного аналитически в вариантах задачи 1.2.4 и графически в виде импульса треугольной формы в соответствующих вариантах задача 1.1.8. Цепь: 113 – ИН u1=f1=|3+3e-t |δ1(t); 212 - R2; 312 - R3; 423 - C4=3; 523 - R5; Rk=1; f2=i3.
- Найти h1(t), h(t) и h2(t) для указанной реакции f2(t); построить графики h1(t) и h(t). Вычислить f2(t) для воздействия f1(t), заданного аналитически в вариантах задачи 1.2.4 и графически в виде импульса треугольной формы в соответствующих вариантах задача 1.1.8. Цепь: 113 – ИН u1=f1=|3+3e-t |δ1(t); 212 - R2; 312 - R3; 423 - C4=3; 523 - R5; Rk=1; f2=i3.
Предварительный просмотр
