Заказ: 1147139

Обратный ток насыщения полупроводникового диода I0 = 1мкА при Т = 27º С и I0 = 10 мкА при Т = 65º С. Построить вольтамперные характеристики этого диода при температурах, равных 27º С и 65º С, при изменении напряжения от -2 В до 0,5 В.

Обратный ток насыщения полупроводникового диода I0 = 1мкА при Т = 27º С и I0 = 10 мкА при Т = 65º С. Построить вольтамперные характеристики этого диода при температурах, равных 27º С и 65º С, при изменении напряжения от -2 В до 0,5 В.
Описание

Подробное решение в WORD

Обратный ток насыщения полупроводникового диода I0 = 1мкА при Т = 27º С и I0 = 10 мкА при Т = 65º С. Построить вольтамперные характеристики этого диода при температурах, равных 27º С и 65º С, при изменении напряжения от -2 В до 0,5 В. (Решение → 47313)

Обратный ток насыщения полупроводникового диода I0 = 1мкА при Т = 27º С и I0 = 10 мкА при Т = 65º С. Построить вольтамперные характеристики этого диода при температурах, равных 27º С и 65º С, при изменении напряжения от -2 В до 0,5 В. (Решение → 47313)

Обратный ток насыщения полупроводникового диода I0 = 1мкА при Т = 27º С и I0 = 10 мкА при Т = 65º С. Построить вольтамперные характеристики этого диода при температурах, равных 27º С и 65º С, при изменении напряжения от -2 В до 0,5 В.