Проектирование микросхемы дешифратора 4x16 (курсовая работа)

СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ, СОКРАЩЕНИЙ И ТЕРМИНОВ……….... 6
ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………………….………….. 7
1 ЛОГИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СХЕМЫ СЕМИСЕГМЕНТНОГО
ДЕШИФРАТОРА……………………………………………………………………………… 8
1.1 Описание схемы дешифратора 4x16 …………………………………………………… 8
1.2 Приведение электрической принципиальной схемы в базис основных логических
элементов………………………………………………………………………………………… 10
2 ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ……………………………………………………………………. 12
3 РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ ДИФФУЗИИ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ РАБОЧИХ
ОБЛАСТЕЙ ТРАНЗИСТОРА……………………………………………………………….. 13
3.1 Расчет параметров диффузии при формировании р – кармана…………………….. 13
3.2 Расчет параметров диффузии при формировании р+ - областей (областей стока и
истока p-канального транзистора)…………………………………………………………… 14
3.3 Расчет параметров диффузии при формировании n+ - областей (областей стока и
истока n-канального транзистора)……………………………………………………………. 15
4 РАСЧЁТ ПРОБИВНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ………………………… 16
4.1 Расчет пробивных напряжений p-n перехода p-карман – подложка……………….. 16
4.2 Расчет пробивных напряжений p-n перехода n+-область – p-карман……………… 16
4.3 Расчет пробивных напряжений p-n перехода p+-область – подложка…………….. 17
5 РАСЧЕТ ПОРОГОВЫХ НАПРЯЖЕНИЙ……………………………………………….. 18
5.1 Расчет пороговых напряжений для паразитного канала в n-подложке…………… 18
5.2 Расчет пороговых напряжений для паразитного канала в p-кармане…………….. 18
5.3 Расчет пороговых напряжений в n-канальном транзисторе………………………… 19
5.4 Расчет пороговых напряжений в p-канальном транзисторе………………………… 19
6 ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАСЧЁТ ТРАНЗИСТОРА……………………………………… 20
7 РАЗРАБОТКА ПРОЕКТНЫХ НОРМ…………………………………………………….. 21
8 РАСЧЁТ ЗНАКОВ СОВМЕЩЕНИЯ……………………………………………………… 22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………………………………… 24
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ……………………………………….. 25