Ирина Эланс
Заказ: 1149426
Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 36 КU>100 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=500 Ом; RH=1.4 кОм
Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 36 КU>100 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=500 Ом; RH=1.4 кОм
Описание
Подробное решение в WORD
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 37 КU>110 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=400 Ом; RH=1.4 кОм
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 39 КU>130 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=200 Ом; RH=1,4 кОм
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 40 КU>140 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=100 Ом; RH=1.6 кОм
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 41 КU>50 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=1000 Ом; RH=1.6 кОм
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 48 КU>120 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=300 Ом; RH=1.6 кОм
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 54 КU>80 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=700 Ом; RH=1.8 кОм
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 55 КU>90 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=600 Ом; RH=1.8 кОм
- Расчет предварительного усилителя на транзисторе (Контрольная работа, Вариант 24)
- Расчет предварительного усилителя на транзисторе КТ3107И. (курсовая работа)
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 01 КU>50 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=1000 Ом; RH=3 кОм
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 21 КU>50 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=1000 Ом; RH=1.2 кОм
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 28 КU>120 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=300 Ом; RH=1.2 кОм
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры Вариант 29 КU>130 ; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=200 Ом; RH=1.2 кОм
- Расчет предварительного усилителяРассчитать 2-х каскадный предварительный усилитель с RC связью, собранный по схеме, показанной на рис 1, на высокочастотных маломощных транзисторах, обеспечивающий следующие параметры (Вариант 32): КU>60; fH < 100 Гц; fB < 500 кГц; Rr=900 Ом; RH=1,4 кОм
Предварительный просмотр
