Расчет режима биполярного транзистора по постоянному току Вариант №16

1. Полагая Rк = Rн , выбрать транзистор для каскада с ОЭ из имеющихся в приложении Б для вашего варианта контрольной работы. При выборе следует обратить внимание на наиболее полное использование транзистора по предельно допустимым параметрам.
2. Определить координаты рабочей точки ( U_к0, I_к0, U_бэ0, I_б0) и требуемое напряжение источника питания Ек. При определении координат следует
стремиться к минимально возможным значениям U_к0 и I_к0.
3. Проиллюстрировать процесс определения координат рабочей точки путем построения входных и выходных динамических характеристик, используя входные и выходные статические характеристики выбранного БТ,
находящиеся в Приложении Б.
4. По справочным данным на транзистор (Приложение Б) определить параметры элементов упрощенной физической Т-образной малосигнальной эквивалентной схемы БТ (рис. 1.3).
5. В выбранной рабочей точке рассчитать значения низкочастотных Y-параметров транзистора и S₀ и g, и постоянной времени крутизны транзистора τ .
6. В диапазоне температур окружающей среды (+20…+50)°С рассчитать ожидаемый уход тока коллектора I_к0 без мер термостабилизации. Определить, как изменится входная проводимость транзистора g и крутизна S₀ при данном изменении тока коллектора.
7. Нарисовать схему усилительного каскада с ОЭ со стабилизацией фиксированием тока базы. Рассчитать ожидаемый уход тока коллектора для данной схемы термостабилизации. Определить, как изменится при этом
входная проводимость транзистора g и крутизна S₀
8. Нарисовать схему усилительного каскада с ОЭ с коллекторной термостабилизацией. Рассчитать ожидаемый уход тока коллектора для данной схемы термостабилизации. Определить, как изменится при этом входная проводимость транзистора g и крутизна S₀
9. Нарисовать схему усилительного каскада с ОЭ с эмиттерной термостабилизацией. Рассчитать ожидаемый уход тока коллектора для данной I_к0 схемы термостабилизации. Определить, как изменится при этом входная проводимость транзистора g и крутизна S₀.
10. Сравнить полученные результаты, оценить эффективность рассмотренных схем термостабилизации.
11. Для эмиттерной схемы термостабилизации с помощью программы Electronics Workbench измерить режим работы транзистора и сравнить с рассчитанными в работе значениями координат рабочей точки. При значительном расхождении результатов, проверить расчет параметров элементов эмиттерной схемы термостабилизации. Для измерения режима транзистора по постоянному току можно использовать схему, представленную на рис. 1.7. Импортный аналог транзистора выбирается согласно данным приложения Б.
12. С помощью программы Electronics Workbench, используя виртуальный осциллограф, показать возможность получения на выходе неискаженного синусоидального сигнала заданной амплитуды. При неудовлетворительном результате, проверить расчет координат рабочей точки в работе №1. Для
измерения амплитуды выходного сигнала можно использовать схему, представленную на рисунке 1.9. Импортный аналог транзистора выбирается согласно данным приложения Б.

Всего 20 страниц

Предварительный просмотр