Технология изготовления интегральной схемы ТС – 14 (Курсовая работа по дисциплине «Процессы микро- и нанотехнологии»)

Исходные данные к проекту:
Биполярная схема с диэлектрической изоляцией со скрытым слоем.
Подложка КЭФ – 0.5/0.1, ρ_sб=180 Ом⁄□, x_pnб=1.8 мкм,
ρ_sэ=5 Ом⁄□, x_pnэ=0.8 мкм.
Сопротивление R2=1.2 кОм.

Введение………………………………………………………………………..5
1. Анализ схемы, выбор материалов и методов изготовления элементов схемы…………………………………………………………………………...6
1.1 Анализ схемы………………………………………………………………6
1.2 Выбор материалов……………………………………………………..9
1.3 Метод изготовления элементов схемы…………………………………..11
2. Технологический маршрут изготовления схемы…………………………12
3. Расчет режимов диффузии базы и эмиттера, скрытого слоя…………….16
4. Расчет точности диффузионных элементов………………………………27
5. Фотошаблоны базовых и эмиттерных областей………………………….33
6. Заключение………………………………………………………………….34
Список используемой литературы…………………………………………...35