Тесты № 6 и 7 - Сплавы высокого сопротивления, резистивные материалы и Полупроводниковые материалы и их свойства

Сплавы высокого сопротивления, резистивные материалы:
1. Основу сплавов высокого сопротивления составляют следующие металлы:
а) медь и алюминий;
б) хром и никель;
в) олово и свинец;
г) золото и платина.

2. Резистивные материалы на основе кремния (силициды) используют для изготовления:
а) пленочных сопротивлений;
б) проволочных сопротивлений;
в) нагревательных элементов;
г) термопар.

3. Сплавы высокого сопротивления используются для изготовления:
а) технических сопротивлений;
б) прецизионных сопротивлений;
в) пленочных проводников;
г) пленочных сопротивлений.

4. Температурный коэффициент удельного сопротивления резистивного материала, использующегося для изготовления прецизионного сопротивления:
а) должен быть минимальным;
б) должен быть максимальным;
в) не учитывается при выборе материала.

5. Какое из утверждений является верным:
а) в качестве резистивных материалов могут использоваться только сплавы;
б) в качестве резистивных материалов не могут использоваться химически простые (элементарные) материалы;
в) наиболее технологичными резистивными материалами являются керметы.

Полупроводниковые материалы и их свойства

1. К простым полупроводникам относятся:
а) PbS и GaP;
б) SiC и Te;
в) Ge и Si;
г) P и GaAs.

2. Какое из утверждений является верным:
а) повышение температуры не влияет на электропроводность собственного полупроводника;
б) чем выше температура, тем ниже электропроводность собственного полупроводника;
в) чем выше температура, тем выше электропроводность собственного полупроводника.

3. Цель легирования полупроводников:
а) регулирование электропроводности;
б) уменьшение ширины запрещенной зоны;
в) увеличение теплопроводности;
г) уменьшение твердости.

4. Основными носителями заряда в полупроводниках n-типа являются:
а) нейтроны;
б) электроны;
в) протоны;
г) дырки.

5. Для полупроводниковых материалов характерно значение удельного сопротивления:
а) ρ<10^-10 Ом·м;
б) ρ=10^-5÷ 10⁸ Ом·м;
в) ρ>10⁵ Ом·м;
г) ρ=10^-2÷ 10⁴ Ом·м.

6. Какое из утверждений является верным:
а) повышение температуры приводит к повышению подвижности носителей заряда примесного полупроводника;
б) повышение температуры приводит к уменьшению подвижности носителей заряда примесного полупроводника;
в) повышение температуры не влияет на подвижность носителей заряда примесного полупроводника.

7. К люминисценции способны:
а) все полупроводники;
б) полупроводники с малой шириной запрещенной зоны;
в) полупроводники с большой шириной запрещенной зоны.

8. Изменение удельного сопротивления полупроводника под действием электромагнитного излучения называется:
а) эффектом Холла;
б) эффектом Ганна;
в) фоторезистивным эффектом.

9. Возникновение разности потенциалов на боковых гранях полупроводниковой пластины, через которую проходит электрический ток, при ее помещении в электромагнитное поле, называется:
а) эффектом Холла;
б) эффектом Ганна;
в) фоторезистивным эффектом.

10. Возбуждение высокочастотных колебаний электрического тока при воздействии на полупроводник постоянного электрического поля высокой напряженности, называется:
а) эффектом Холла;
б) эффектом Ганна;
в) фоторезистивным эффектом.

11. Основные полупроводниковые материалы электронных средств относятся к группе:
а) органических аморфных веществ;
б) неорганических аморфных веществ;
в) неорганических кристаллических веществ;
г) органических кристаллических веществ.

12. Какие из перечисленных электронных приборов могут быть изготовлены на основе кремния:
а) инжекционные лазеры;
б) биполярные транзисторы;
в) тензодатчики;
г) импульсные и выпрямительные диоды.

13. Какие из перечисленных полупроводников являются промышленными люминофорами:
а) кремний;
б) германий;
в) сульфид цинка;
г) сульфид кадмия.

14. При облучении полупроводника носители заряда генерируют парами «электрон-дырка»:
а) верно;
б) неверно;
в) верно только для примесных полупроводников.

15. Основными параметрами полупроводниковых материалов являются:
а) удельная объемная электропроводность, температурный коэффициент линейного расширения, предел упругости;
б) ширина запрещенной зоны, концентрация собственных носителей заряда, подвижность носителей заряда при нормальной температуре;
в) диэлектрическая проницаемость, удельное сопротивление, тангенс угла диэлектрических потерь;
г) магнитная проницаемость, коэрцитивная сила, удельное сопротивление.