Топология микромощного биполярного базового логического элемента ТТЛ (курсовая работа)

Исходные данные к проекту:
Технологический процесс биполярный gpdk180; количество используемых уровней металлизации – два; напряжение питания 1,8 В; слоевые сопротивления резисторов: nplusres 300 Ом/квадрат, polyres 7,5 Ом/квадрат; ширина резисторов от 0,6 мкм до 50 мкм; размеры (длина/ширина) диодов от 0,6 мкм до 10 мкм; ширина эмиттера биполярного npn и pnp транзисторов от 0.6 мкм до 10 мкм; максимальная длина затвора МОП-транзистора 20 мкм; ширина затвора МОП-транзистора от 0,42 мкм до 100 мкм; максимальное количество сегментов МОП транзистора до 10; минимальная ширина шин питания 0,6 мкм; размеры контактов к активной области и поликремнию – 0,2 х 0,2 мкм.


Введение..........................................................................................................................5
1. Описание работы схемы............................................................................................6
1.1 Электрические параметры ТТЛ микросхем................................................7
1.2 Описание стандартной серии ТТЛ 155/133...............................................11
1.3 Передаточная характеристика ТТЛ-элемента...........................................13
2. Результаты моделирования схемы в статическом и динамическом
режимах.....................................................................................................................15
3. Особенности технологической библиотеки для проектирования ......................21
4. Проектирование топологии и результаты верификации .....................................30
4.1 Согласование интегральных резисторов...................................................31
4.2 Согласование интегральных конденсаторов.............................................32
4.3. Топология логического элемента..............................................................33
4.4. Проверка правильности разработки топологии ИМС ............................34
5. Результаты моделирования с учетом экстракции паразитных
элементов из топологии...........................................................................................37
Заключение ...................................................................................................................38
Список литературы ......................................................................................................39