Транзистор – n-p-n; Материал транзистора – кремний (Si); Толщина базы – w =10 мкм; Удельное сопротивление базового слоя - ρp = 4 Ом·см; Напряжение на коллекторе – Uk = 10 В; Дифференциальное сопротивление коллектора – rk = 1 МОм; Обратный ток эмиттера – IЭ0 = 2 мкА; Коэффициент инжекции – γ = 0.98; Время жизни электронов – τn = 1 мкс; Найти: 1) Дифференциальное сопротивление эмиттера; 2) Сопротивление по постоянному току эмиттера; 3) Коэффициент передачи базового тока; 4) Коэффициент обратной связи по напряжению;