Заказ: 1134608

Уровень Ферми в примесных полупроводниках N1 и N2 находится на ΔE ниже дна зоны проводимости (Значение ΔE = E_3/Z). (Z-номер варианта).N1 – Si: ΔE=11 / 6 = 0,185 N2 – Ge: ΔE=0.72 / 6 = 0,121 2 Какова вероятность fn(E) того, что при температуре Т, энергетические уровни, расположенные на Z*3*kT (18kT) выше зоны проводимости, заняты электронами.3 4. Какова вероятность fp (Е) того, что на уровне, расположенном у потолка валентной зоны, содержатся дырки.5. Нарисовать зонную диаграмму и функции Z(E), N(E) f(E) для данных полупроводников – Sb, Al Вариант 6 (T = 330K)

Уровень Ферми в примесных полупроводниках N1 и N2 находится на ΔE ниже дна зоны проводимости (Значение ΔE = E_3/Z). (Z-номер варианта).N1 – Si: ΔE=11 / 6 = 0,185 N2 – Ge: ΔE=0.72 / 6 = 0,121 2 Какова вероятность fn(E) того, что при температуре Т, энергетические уровни, расположенные на Z*3*kT (18kT) выше зоны проводимости, заняты электронами.3 4. Какова вероятность fp (Е) того, что на уровне, расположенном у потолка валентной зоны, содержатся дырки.5. Нарисовать зонную диаграмму и функции Z(E), N(E) f(E) для данных полупроводников – Sb, Al Вариант 6 (T = 330K)
Описание

Подробное решение в WORD - 6 страниц





Предварительный просмотр

Уровень Ферми в примесных полупроводниках N1 и N2 находится на ΔE ниже дна зоны проводимости (Значение ΔE = E_3/Z). (Z-номер варианта).N1 – Si: ΔE=11 / 6 = 0,185 N2 – Ge: ΔE=0.72 / 6 = 0,121    2    Какова вероятность fn(E) того, что при температуре Т, энергетические уровни, расположенные на Z*3*kT (18kT) выше зоны проводимости, заняты электронами.3  4. Какова вероятность fp (Е) того, что на уровне, расположенном у потолка валентной зоны, содержатся дырки.5. Нарисовать зонную диаграмму и функции Z(E), N(E) f(E) для данных полупроводников – Sb, Al Вариант 6 (T = 330K)