Заказ: 1000527

ВАХ идеализированного кремниевого диодаРассчитать и построить ВАХ идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения от – 5 до + 0,7 В при Т=300 К и обратном токе насыщения, равном I0. Значение теплового потенциала φT= kT/q при Т=300 К принять равным 0,026 В. Определить дифференциальное rдиф и статическое сопротивление R0 диода для заданного значения Uпр . Величины I0 , Uпр приведены в табл.1 Вариант 66Дано: I0 = 0,8 нА; Uпр = 0,55 В; φT = 0,026 В;

ВАХ идеализированного кремниевого диодаРассчитать и построить ВАХ идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения от – 5 до + 0,7 В при Т=300 К и обратном токе насыщения, равном I0. Значение теплового потенциала φT= kT/q при Т=300 К принять равным 0,026 В. Определить дифференциальное rдиф и статическое сопротивление R0 диода для заданного значения Uпр . Величины I0 , Uпр приведены в табл.1 Вариант 66Дано: I0 = 0,8 нА; Uпр = 0,55 В; φT = 0,026 В;
Описание

Подробное решение в WORD

ВАХ идеализированного кремниевого диодаРассчитать и построить ВАХ идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения от – 5 до + 0,7 В при Т=300 К и обратном токе насыщения, равном I0. Значение теплового потенциала φT= kT/q при Т=300 К принять равным 0,026 В. Определить дифференциальное rдиф и статическое сопротивление R0 диода для заданного значения Uпр . Величины I0 , Uпр приведены в табл.1 Вариант 66Дано: I0 = 0,8 нА; Uпр = 0,55 В; φT = 0,026 В;