Ирина Эланс
Заказ: 1147185
Вопрос №31 Неосновным носителем заряда в полупроводнике n-типа являются: 1.электроны 2.нейтроны 3.дырки
Вопрос №31 Неосновным носителем заряда в полупроводнике n-типа являются: 1.электроны 2.нейтроны 3.дырки
Описание
Ответ на вопрос теста
- Вопрос №32 С увеличением температуры диода его максимально допустимое обратное напряжение: 1.уменьшается; 2.увеличивается; 3.не изменяется;
- Вопрос №34 Приведите схему включения светодиода и условное графическое обозначение на схемах. Поясните устройство и принцип действия. Приведите примеры маркировки светодиодов и расшифруйте их, укажите область их применения.
- Вопрос №36 Сравните условия пуска ДПТ независимого возбуждения в двух случаях: а) пуск при номинальном токе возбуждения б) пуск при пониженном токе возбуждения В обоих случаях сравните величины пусковых токов и моментов, а также частот вращения в установившемся режиме.
- Вопрос №36 Сравните условия пуска ДПТ независимого возбуждения в двух случаях: а) пуск при номинальном токе возбуждения б) пуск при пониженном токе возбуждения В обоих случаях сравните величины пусковых токов и моментов, а также частот вращения в установившемся режиме.
- Вопрос №37 Проанализируйте, как увеличение регулировочного сопротивления в цепи возбуждения ДПТ независимого возбуждения повлияет на частоту вращения, а также на величины ЭДС и тока якоря, если момент нагрузки на валу меньше номинального и остается постоянным
- Вопрос №37 Проанализируйте, как увеличение регулировочного сопротивления в цепи возбуждения ДПТ независимого возбуждения повлияет на частоту вращения, а также на величины ЭДС и тока якоря, если момент нагрузки на валу меньше номинального и остается постоянным
- Вопрос №3 Диффузионная емкость в диоде обусловлена: 1.нескомпенсированным зарядом ионизированных атомов примеси 2.изменением величины объемного заряда, вызванного изменением прямого напряжения
- Вопрос №26 Как в твердом теле называется зона, расположенная непосредственно над уровнем Ферми, энергетически разрешённая для электронов? 1. зона проводимости 2. валентная зона 3. запрещенная зона
- Вопрос №27 Основным носителем заряда в полупроводнике n-типа являются: 1. электроны 2. дырки 3. нейтроны
- Вопрос №28 Определите ток в нагрузке при следующих параметрах U=5 В, Rн=100 Ом 1) 0,056 В 2) 0,044 А 3) 0 А 4) 0,05 А
- Вопрос №28 Приведите классификацию и требования, предъявляемые к аналоговым интегральным микросхемам (АИМС). Для чего предназначены АИМС
- Вопрос №29 Акцепторные примеси позволяют получить полупроводники: 1) n-типа 2) p-типа 3) g-типа
- Вопрос №2 Процесс возникновения пар носителей зарядов в полупроводниках называют: 1.рекомбинация 2.обеднение 3.термогенерация 4.диффузия
- Вопрос №30 Рабочий участок ВАХ стабилитрона находится в: 1.четвертом квадранте; 2.первом квадранте; 3.втором квадранте; 4.третьем квадранте;
