На рис. 1. изображены входные и выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с

На рис. 1. изображены входные и выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Построить передаточную характеристику Iк = f(Iб) при Uкэ= 10 В. Рис.1. Передаточная характеристика IК=f(Iб)

Учитывая пологость выходной характеристики IК=f(Uкэ), продолжим семейство выходных характеристик по оси абцисс до заданного значения напряжения коллектор-эмиттер UКЭ=10 В.
Изобразим вертикальную прямую (красная линия) UКЭ=10 В.
Обозначим точки пересечения этой прямой с выходными характеристиками для разных токов базы (точки справа номер 1, 2, 3, 4, 5, 6).
Откладываем влево на втором графике токи базы в выбранном масштабе с теми же значениями, что и на семействе выходных характеристик, т.е . 0мА; 0,03мА; 0,06мА; 0,09мА; 0,12мА; 0,15мА.
Проводим горизонтальные линии (синим пунктиром) параллельно оси абцисс из точек пересечения вертикальной прямой UКЭ=10 В с соответствующими токами базы выходной характеристики.
Также проводим на графике слева вертикальные линии (серым пунктиром) из отмеченных на оси абцисс значений токов базы 0мА; 0,03мА; 0,06мА; 0,09мА; 0,12мА; 0,15мА.
Отмечаем места пересечений на графике слева нарисованных прямых (синих и серых пунктиров) точками 1, 2, 3, 4, 5, 6.
Проводим через эти точки пересечений линию

. 0мА; 0,03мА; 0,06мА; 0,09мА; 0,12мА; 0,15мА.
Проводим горизонтальные линии (синим пунктиром) параллельно оси абцисс из точек пересечения вертикальной прямой UКЭ=10 В с соответствующими токами базы выходной характеристики.
Также проводим на графике слева вертикальные линии (серым пунктиром) из отмеченных на оси абцисс значений токов базы 0мА; 0,03мА; 0,06мА; 0,09мА; 0,12мА; 0,15мА.
Отмечаем места пересечений на графике слева нарисованных прямых (синих и серых пунктиров) точками 1, 2, 3, 4, 5, 6.
Проводим через эти точки пересечений линию