ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника:Дрейфовый ток плотностью 10 мА/см2 протекает через кристалл кремния p-типа с удельным сопротивлением 5 Ом⋅см. Определить среднюю скорость дрейфа дырок. (Решение → 8981)

Описание

Question

Образец из полупроводника прямоугольной формы размером 0.25×0.25×0.05 см<sup>3</sup> содержит 10<sup>15</sup> носителей заряда в 1 см<sup>3</sup>. К двум противоположным узким граням приложено напряжение 17 В. Найти значение тока, полагая подвижность носителей заряда 500 см<sup>2</sup>/(B⋅c).

Ответ дать в мА, округлив до целого числа.

    
          Описание
           Question 	Образец из полупроводника прямоугольной формы размером 0.25×0.25×0.05 см&lt;sup&gt;3&lt;/sup&gt; содержит 10&lt;sup&gt;15&lt;/sup&gt; носителей заряда в 1 см&lt;sup&gt;3&lt;/sup&gt;. К двум противоположным узким граням приложено напряжение 17 В. Найти значение тока, полагая подвижность носителей заряда 500 см&lt;sup&gt;2&lt;/sup&gt;/(B⋅c).	Ответ дать в мА, округлив до целого числа.  
            
            
            ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника:Образец из полупроводника прямоугольной формы размером 0.25×0.25×0.05 см3 содержит 1015 носителей заряда в 1 см3.ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить среднюю скорость дрейфа электронов в кремнии при T=300 K, если к образцу приложено внешнее электрическое поле с напряженностью E=100 B/см.Фигуру сечения можно зачернять на чертеже, если ширина сечения меньше:Физика 1 / ДО 2019 Тест 1Физика 1. Промежуточные тесты 1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11. РосдистантФизика 1.Росдистант ТГУФизика.(1)СПО (ответы на тест Синергия / МТИ / МосАП)Учет нагрузок в циклических видах спорта традиционно проводится …Учитель будущего. Ответы на блок Развитие таланта школьников. Упражнения.Учитель будущего. Ответы на блок Развитие таланта школьников. Упражнения. Учреждение приведшее к децентрализации управления экономической деятельностью СССР в 50-е гг. ХХ в.:Факторы, не формирующие типологические признаки общественных зданий-Факторы, определяющие выбор строительного материала несущих элементов здания, зависят отФармакогнозия > 2. Сырьевая база и основы заготовительного