Физике твердого тела
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
ТЮМЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЕГАЗОВЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИНСТИТУТ НЕФТИ И ГАЗА
Кафедра физики, методов контроля и диагностики
направление
200102 "Приборы и методы
контроля качества и
диагностики"
Реферат
по «Физике
твердого тела»
студент группы ПМК-09
Овденко Тимофей
к.ф.-м.н., доцент, преподаватель
Федоров
Борис Владимирович
Тюмень
2011
Содержание:
- Введение…………………………………………………………
………………….......стр. 3 - Фазовые
превращения…………………………………………………
……………..стр. 5
2.1
Понятие фазовых
превращений…………………………………………...
2.2
Правило рычага…………………………………………
3.
Сплавы………………………………………………………………
3.1 Общие
сведения о сплавах………………………………
3.2
Сплавы полупроводников………………………………………
3.3 Сплавы типа растворов внедрения……………………………………...стр. 11
4.
Фазовые диаграммы………………………………………………………
-
Понятие фазовой диаграммы……………………………………………..
стр.13 -
Равновесная фазовая
диаграмма………………………………………...
стр. 14 - Фазовая диаграмма двухкомпонентного сплава………………………стр. 14
- Фазовые диаграммы эвтектического типа……………………………..стр. 16
- Фазовые диаграммы перитектического типа………………………….стр. 17
5.
Список литературы……………………………………………………
Введение
Физика твёрдого тела — раздел физики конденсированного состояния, задачей которого является описание физических свойств твёрдых тел с точки зрения их атомарного строения. Интенсивно развивалась в XX веке после открытия квантовой механики. Развитие стимулировалась широким спектром важных задач прикладного характера, в частности, развитием полупроводниковой техники.
В настоящее время физика твёрдого тела разбилась на большое количество более мелких направлений.
А теперь немного углубимся в историю.
Кристаллы многих минералов и
драгоценных камней были известны и описаны
ещё несколько тысячелетий назад. Одна
из наиболее ранних зарисовок кристаллов
содержится в китайской фармакопее одиннадца
Геометрически правильная внешняя форма кристаллов, образующихся в природных или лабораторных условиях, натолкнула ученых еще в семнадцатом веке на мысль, что кристаллы образуются посредством регулярного повторения в пространстве одного и того же структурного элемента. При росте кристалла в идеальных условиях форма его в течение всего роста остается неизменной, как если бы к растущему кристаллу непрерывно присоединялись бы элементарные кирпичики. Сейчас известно, что такими элементарными кирпичиками являются атомы или группы атомов. Кристаллы состоят из атомных рядов, периодически повторяющихся в пространстве и образующих кристаллическую решетку. В восемнадцатом веке минералогами было сделано важное открытие. Оказалось, что индексы, определяющие положение в пространстве любой грани кристалла, суть целые числа. Гаюи показал, что это можно объяснить расположением идентичных частичек в ряды, периодически повторяющиеся в пространстве. В 1824 г. Зибер из Фрайбурга предположил, что элементарные составляющие кристаллов («кирпичики», атомы) являются маленькими сферами. Он предложил эмпирический закон межатомной силы с учетом как сил притяжения, так сил отталкивания между атомами, что было необходимо для того, чтобы кристаллическая решетка была стабильным равновесным состоянием системы идентичных атомов.
Пожалуй,
наиболее важной датой в истории
физики твердого тела является 8 июня 1912
г. В этот день в Баварской Академии
наук в Мюнхене слушался доклад «Интерференция рентгеновских лучей». В первой части доклада Лауэ выступил
с изложением элементарной теории дифракции рентгеновских
лучей на периодическом атомном ряду.
Во второй части доклада Фридрих и Книппинг
сообщили о первых экспериментальных
наблюдениях дифракции рентгеновских
лучей в кристаллах. Этой работой было
показано, что рентгеновские лучи являются
волнами, так как они способны дифрагировать.
Работа неопровержимо доказала также,
что кристаллы состоят из периодических
рядов атомов. С этого дня началась та
физика твердого тела, какой мы знаем ее
сегодня. В годы, непосредственно следующие
за 1912 годом, в физике твердого тела было
сделано много важных пионерских работ.
Первыми кристаллическими структурами,
определенными У.
Л. Брэггом в
1913 г. с помощью рентгеновского дифракционного
анализа, были структуры кристаллов KCl, NaCl, KBr и KI
После открытия дифракции рентгеновских лучей и публикации серии простых и весьма успешных работ с расчетами и предсказаниями свойств кристаллических веществ началось фундаментальное изучение атомной структуры кристаллов.
В 30-e годы XX века работами В. Гейзенберга, Паули, М. Бopна были созданы основы квантово-механической теории твердого тела, что позволило объяснить и прогнозировать интересные физические эффекты в твердых телах. Ускоряли формирование физики твердого тела потребности нарождающейся твердотельной электроники в новых сверхчистых материалах. Здесь можно указать важнейшее событие - открытие в 1948 г. У.Шокли, У.Браттейном и Дж. Бардином усилительных свойств транзистора.
В
настоящее время методы и теория
твердого тела, развитые для описания
свойств и структуры
Физика
твердого тела сводится, в сущности,
к установлению связи между свойствами
индивидуальных атомов и молекул
и свойствами, обнаруживаемыми при
объединении атомов или молекул в гигантские
ассоциации в виде регулярно-упорядоченных
систем — кристаллов. Эти свойства можно
объяснить, опираясь на простые физические
модели твердых тел. Реальные кристаллы
и аморфные твердые тела значительно сложнее,
но эффективность и полезность простых
моделей едва ли можно переоценить. Предметом
данной области науки являются, прежде
всего, свойства веществ в твердом состоянии,
их связь с микроскопическим строением
и составом, эвристическое прогнозирование
и поиск новых материалов и физических
эффектов в них. Фактически физика твердого
тела служит базой для физического материаловедения.
Фазовые
превращения
Понятие
фазовых превращений
Каждое вещество в зависимости от внешних условий - температуры и давления - может находиться в твердом, жидком и газообразном состоянии. При подводе или отводе теплоты меняется форма связи между молекулами, вызывая тем самым изменение вещества, т. е. происходит фазовое превращение. Для получения холода используют фазовые превращения, протекающие при низких температурах с поглощением теплоты из охлаждаемой среды. К ним относятся плавление, кипение и сублимация.
Плавление. Процесс перехода вещества из кристаллического состояния в жидкое с поглощением теплоты называют плавлением (например, при нагревании водного льда его температура повышается до температуры 0 оС, дальнейшее нагревание ведет к его плавлению). Температура плавления зависит от вида тела и внешних условий (давления). Для каждого тела существует своя постоянная температура плавления, и, как уже отмечалось выше, для водного льда при атмосферном давлении она составляет 0 оС. Этот способ искусственного охлаждения широко применяют на практике, в частности при охлаждении продуктов в бытовых холодильниках, на хладотранспорте и т. д.
Процесс перехода жидкости в твердое состояние при постоянной температуре плавления называют отвердеванием. Данный процесс осуществляется при отводе теплоты от жидкости, когда температура жидкости снижается начала отвердевания, равной температуре плавления.
Более низкие температуры плавления получают при охлаждении льда солеными смесями, например смесью хлорида натрия со льдом. Это позволяет получить температуру -21,2 оС (при массовой доле соли 23,1%).
Наиболее низкая температура для данных компонентов смеси (например, соль + вода) называется эвтектической или криогидратной. При данной постоянной температуре происходит кристаллизация смеси.
Эвтектические растворы применяют для охлаждения продуктов на автомобильном транспорте и т. д. Емкости с эвтектическими растворами называют зероторами или эвтектическими аккумуляторами.
Испарение. Процесс парообразования, происходящий со свободной поверхности жидкости при различных температурах, называют испарением. Данный процесс используют при испарении воды в водоохлаждающих устройствах (градирни, брызгательные бассейны или испарительные конденсаторы). При атмосферном давлении и температуре 0 оС скрытая теплота r испарения воды составляет 2509 кДж/кг.
Кипение. Процесс интенсивного парообразования, происходящий по всему объему жидкости в результате поглощения теплоты окружающей среды, называют кипением. При постоянном давлении температура кипения для данного вещества постоянна и зависит от давления паров над жидкостью. Уменьшение давления приводит к снижению температуры жидкости вплоть до ее замерзания. Процесс кипения жидкости при низкой температуре - один из основных в парокомпрессионных холодильных машинах, где кипит хладагент. Аппарат, в котором происходит кипение, называют испарителем. В испарителе осуществляется отвод теплоты от окружающей среды, а кипящая жидкость переходит в парообразное состояние.
Количество теплоты, необходимое для превращения 1 кг жидкости, взятой при температуре кипения, в пар, называют скрытой теплотой парообразования r или удельной теплотой парообразования. С повышением давления кипения жидкости скрытая теплота парообразования уменьшается.
Сублимация. Процесс перехода тела из твердого состояния в парообразное, минуя промежуточное жидкое состояние, называют сублимацией. В качестве рабочего тела для охлаждения объектов наиболее широко применяют твердый диоксид углерода СО2 (сухой лед). Температура сублимации СО2 при атмосферном давлении равна -78,9 оС, теплота сублимации -574 кДж/кг.
Конденсация. Процесс
превращения насыщенного пара в жидкость,
сопровождающийся отводом выделяемой
теплоты, называют конденсацией. Температура
конденсации зависит от давления. Конденсация
жидкости из насыщенного пара - один из
основных рабочих процессов в холодильных
машинах - осуществляется в аппаратах,
называемых конденсаторами.
Правило
рычага
В процессе кристаллизации
В точке а,
показывающей состояние сплава
Первое
положение правила отрезков
Чтобы
определить концентрации компон
Следовательно,
для сплава К при температуре t
Количество этих фаз также можно определить. Для определения количества каждой фазы (второе положение правила отрезков) предположим, что сплав К находится при температуре t1.
Если точка а определяет с
Второе положение правила отрезков формулируется так:
Для того чтобы определить количественное соотношение фаз, через заданную точку проводят горизонтальную линию. Отрезки этой линии между заданной точкой и точками, определяющими составы фаз, обратно пропорциональны количествам этих фаз.
Правило отрезков в
двойных диаграммах состояния м
Сплавы
Общие
сведения о сплавах
Сплав — макроскопически однородный металлический материал, состоящий из смеси двух или большего числа химических элементов с преобладанием металлических компонентов.
Сплавы состоят из основы (одного или нескольких металлов), малых добавок специально вводимых в сплав легирующих и модифицирующих элементов, а также из не удаленных примесей (природных, технологических и случайных).
Сплавы являются одним из основных конструкционных материалов. Среди них наибольшее значение имеют сплавы на основе железа и алюминия. В технике применяется более 5 тыс. сплавов.
По способу изготовления сплавов различают литые и порошковые сплавы. Литые сплавы получают кристаллизацией расплава смешанных компонентов. Порошковые — прессованием смеси порошков с последующим спеканием при высокой температуре. Компонентами порошкового сплава могут быть не только порошки простых веществ, но и порошки химических соединений. Например, основными компонентами твёрдых сплавов являются карбиды вольфрама или титана.
По способу получения заготовки (изделия) различают литейные (например, чугуны, силумины), деформируемые (например, стали) и порошковые сплавы.
В твердом агрегатном состоянии сплав может быть гомогенным (однородным, однофазным — состоит из кристаллитов одного типа) и гетерогенным (неоднородным, многофазным).Твёрдый раствор является основой сплава (матричная фаза). Фазовый состав гетерогенного сплава зависит от его химического состава. В сплаве могут присутствовать: твердые растворы внедрения, твердые растворы замещения, химических соединений(в том числе карбиды, нитриды, интерметаллиды …) и кристаллиты простых веществ.
Свойства
металлов и сплавов полностью
определяются их структурой (кристаллической
структурой фаз и микроструктурой).
Макроскопические свойства сплавов
определяются микроструктурой и
всегда отличаются от свойств их фаз,
которые зависят только от кристаллической
структуры. Макроскопическая однородность
многофазных (гетерогенных) сплавов достигается
за счёт равномерного распределения фаз
в металлической матрице. Сплавы проявляют
металлические свойства, например: электропроводность и
Сплавы различают по назначению: конструкционные, инструментальные и специальные.
Конструкционные сплавы:
- стали
- чугуны
- дюралюминий
Конструкционные
со специальными свойствами (например,
искробезопасность, антифрикцио
- бронзы
- латуни
Для заливки подшипников:
- баббит
Для
измерительной и
- манганин
- нихром
Для изготовления режущих инструментов:
- победит
В
промышленности также используются жаропрочные
Сплавы
полупроводников
Полупроводниковые материалы - вещества с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале температур, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов. Удельная электрическая проводимость σ при 300 К составляет 104−10~10 Ом−1·см−1 и увеличивается с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических свойств к внешним воздействиям (нагрев, облучение, деформации и т. п.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей.
Полупроводниковые материалы по структуре делятся на кристаллические, твёрдые, аморфные и жидкие.
Кристаллические полупроводниковые материалы:
Наибольшее
практическое применение находят неорганические кристал
- Элементарные
полупроводники: Ge, Si, углеро
д (алмаз и графит), В, α-Sn (серое олово), Те, Se. Важнейшие представители этой группы — Ge и Si имеют кристаллическую решётку типа алмаза (алмазоподобны). Являются непрямозонными полупроводниками; образуют между собой непрерывный ряд твёрдых расплавов, также обладающих полупроводниковыми свойствами. - Соединения
типа AIIIBV элементов III и V группы периодической системы имеют в основном кристаллическую
структуру типа сфалерита. Связь атомов в кристаллической
решётке носит преимущественно ковалентный
характер с некоторой долей (до 15 %) ионной
составляющей. Плавятся конгруэнтно (без
изменения состава). Обладают достаточно
узкой областью гомогенности, то есть интервалом
составов, в котором в зависимости от параметров
состояния (температуры, давления и др.)
преимуществ. тип дефектов может меняться,
а это приводит к изменению типа проводимости
(n, р) и зависимости удельной электрической
проводимости от состава. Важнейшие представители
этой группы: GaAs, InP, InAs, InSb,
GaN, являющиеся прямозонными полупроводниками, и GaP, AlAs — непрямозонные полупроводники. Многие полупроводниковые материалы типа АIIIВV образуют между собой непрерывный ряд твёрдых расплавов — тройных и более сложных (GaxAl1-xAs, GaAsxP1-x, GaxIn1-xP, GaxIn1-xAsyP1-y и т. п.), также являющихся важными. - Соединения
элементов VI группы (О, S, Se, Те) с элементами
I—V групп периодической системы, а также
с переходными металлами и РЗЭ.
В обширной группе этих полупроводниковых
материалов наибольший интерес представляют
соединения типа AIIBVI с кристаллической
структурой типа сфалерита или вюрцита,
реже типа NaCl. Связь между атомами
в решётке носит ковалентно-ионный характер
(доля ионной составляющей достигает 45-60 %).
Имеют большую, чем у полупроводниковых
материалов типа AIIIBV, протяженность области
гомогенности. Для соединений типа AIIBVI характерен полиморфизм
и наличие политипов кубической и гексагональной модификаций. Являются в основном прямозонными полупроводниками. Важнейшие представители этой группы полупроводниковых материалов — CdTe, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnO, ZnS. Многие соединения типа AIIBVI образуют между собой непрерывный ряд твёрдых растворов, характерными представителями которых являются CdxHg1-xTe, CdxHg1-xSe, CdTexSe1-x. Физические свойства соединений типа AIIBVI в значительной мере определяются содержанием собственных точечных дефектов структуры, имеющих низкую энергию ионизации и проявляющих высокую электрическую активность. - Тройные соединения типа AIIBIVCV2 кристаллизуются в основном в решётке халькопирита. Обнаруживают магнитное и электрическое упорядочение. Образуют между собой твёрдые растворы. Во многом являются электронными аналогами соединений типа АIIIВV. Типичные представители: CuInSe2, CdSnAs2, CdGeAs2, ZnSnAs2.
- Карбид кремния SiC — единственное химическое соединение, образуемое элементами IV группы. Обладает полупроводниковыми свойствами во всех структурных модификациях: β-SiC (структура сфалерита); α-SiC (гексагональная структура), имеющая около 15 разновидностей. Один из наиболее тугоплавких и широкозонных среди широко используемых полупроводниковых материалов.

- Физики-химические и физические свойства нефти
- Физико-географическая характеристика бассейна озера Байкал
- Физико-географическая характеристика Белоруссии
- Физико-географическая характеристика Горьковского водохранилища
- Физико-географическая характеристика Кстовского района Нижегородской области
- Физико-географическая характеристика реки Ушайки
- Физико-географическая характеристика Тюменской области
- Физика пласта
- Физика природных факторов и их влияние на показатели функционирования основных систем организма человека
- Физика радуги
- Физика солнечных вспышек
- Физика среды
- Физика цунами. Меры безопасности
- Физика элементарных частиц