Физические основы электроники - Вариант № 2 - 6 задач (Решение → 99811)

Описание

Подробные решения в Ворде!

Вариант№ 2

Задача № 2.

Положение уровня Ферми для Al (алюминия) при Т = 0 К соответствует энергии 11,7 эВ. Рассчитать число свободных электронов, приходящихся на один атом. Эффективную массу электронов проводимости принять равной массе свободного электрона.

Задача № 12.

Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в германии при 300 К, если ширина его запрещенной зоны 0,66 эВ, а эффективные массы плотности состояний mc=0,55mo, mv=0,388mo. Определить удельное сопротивление материала, если подвижности электронов и дырок, соответственно равны 3800 /В с и 1800 /В с.

Задача № 22.

Какое напряжение надо приложить к p-n-переходу при Т =300К, чтобы прямой ток через него был равен обратному току насыщения I0? При каком прямом напряжении прямой ток Inp =100·I0?

Задача № 32.

На полупроводниковый фотодетектор площадью 0,5 падает поток монохроматического излучения (λ=0,565 мкм) плотностью 20 мкВт/. Определить: а) число электронно-дырочных пар, ежесекундно генерируемых в объеме полупроводника, полагая, что каждый фотон создает лишь одну пару носителей заряда; б) во сколько раз изменится скорость генерации, если плотность потока излучения уменьшится вдвое; в) как изменится скорость оптической генерации, если длина волны λ уменьшится вдвое?

Задача № 42.

Какие процессы происходят в полупроводнике при наличии на его поверхности зарядов? Нарисуйте энергетические диаграммы полупроводника n-типа при наличии на его поверхности: а) небольшого положительного заряда; б) положительного заряда большой плотности; в) небольшого отрицательного заряда; г) отрицательного заряда большой плотности. Вдоль горизонтальной оси откладывайте расстояние х, отсчитываемое вглубь от поверхности проводника.

Задача № 52.

При пропускании тока через собственный полупроводник под действием поперечного магнитного поля происходит отклонение электронов и дырок к одной и той же боковой грани образца. Возникающее при этом холловское поле не может воспрепятствовать одновременному поперечному смещению электронов и дырок. Объясните, каким образом в полупроводнике достигается состояние динамического равновесия. Почему у боковых граней не происходит бесконечного накопления носителей зарядов?

Описание Подробные решения в Ворде!Вариант№ 2Задача № 2. Положение уровня Ферми для Al (алюминия) при Т = 0 К соответствует энергии 11,7 эВ. Рассчитать число свободных электронов, приходящихся на один атом. Эффективную массу электронов проводимости принять равной массе свободного электрона. Задача № 12. Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в германии при 300 К, если ширина его запрещенной зоны 0,66 эВ, а эффективные массы плотности состояний mc=0,55mo, mv=0,388mo. Определить удельное сопротивление материала, если подвижности электронов и дырок, соответственно равны 3800 /В с и 1800 /В с. Задача № 22. Какое напряжение надо приложить к p-n-переходу при Т =300К, чтобы прямой ток через него был равен обратному току насыщения I0? При каком прямом напряжении прямой ток Inp =100·I0? Задача № 32. На полупроводниковый фотодетектор площадью 0,5 падает поток монохроматического излучения (λ=0,565 мкм) плотностью 20 мкВт/. Определить: а) число электронно-дырочных пар, ежесекундно генерируемых в объеме полупроводника, полагая, что каждый фотон создает лишь одну пару носителей заряда; б) во сколько раз изменится скорость генерации, если плотность потока излучения уменьшится вдвое; в) как изменится скорость оптической генерации, если длина волны λ уменьшится вдвое? Задача № 42. Какие процессы происходят в полупроводнике при наличии на его поверхности зарядов? Нарисуйте энергетические диаграммы полупроводника n-типа при наличии на его поверхности: а) небольшого положительного заряда; б) положительного заряда большой плотности; в) небольшого отрицательного заряда; г) отрицательного заряда большой плотности. Вдоль горизонтальной оси откладывайте расстояние х, отсчитываемое вглубь от поверхности проводника. Задача № 52. При пропускании тока через собственный полупроводник под действием поперечного магнитного поля происходит отклонение электронов и дырок к одной и той же боковой грани образца. Возникающее при этом холловское поле не может воспрепятствовать одновременному поперечному смещению электронов и дырок. Объясните, каким образом в полупроводнике достигается состояние динамического равновесия. Почему у боковых граней не происходит бесконечного накопления носителей зарядов? Физические основы электроники - Вариант № 10 (0) - Подробные решения в ВордеФизические основы электроники - Вариант № 2 - 6 задачФизические упражнения в сочетании с использованием оздоровительных сил природы и гигиенических факторов, представляют собой.. сферу физической культурыФизический маятник в виде диска с центром масс в точке C и массой m=8 кг, подвешенный за точку O, отстающую от центра масс на расстояние CO=0,9 м, совершает гармонические не затухающие колебания с амплитудой A=0,9 м, и начальной фазой fi_0=pi/4, рассФизический маятник в виде диска с центром масс в точке C и массой m=9 кг, подвешенный за точку O, отстающую от центра масс на расстояние CO=1,9 м, совершает гармонические не затухающие колебания с амплитудой A=0,2 м, и начальной фазой fi_0=pi/4, рассФизический маятник в виде диска с центром масс в точке C и массой m=9 кг, подвешенный за точку O, отстающую от центра масс на расстояние CO=3,3 м, совершает гармонические не затухающие колебания с амплитудой A=1,3 м, и начальной фазой fi_0=pi/4, рассФизический маятник в виде тонкого прямого стержня длиной l = 120 см колеблется около горизонтальной оси, проходящей перпендикулярно стержню через точку, удалённую на некоторое расстояние a от центра масс стержня.Физическая система, процесс, явление, которые характеризуются одной или несколькими измеряемыми физическими величинами..Физическая химия в дорожном материаловеденииФизические и вредные производственные факторы на предприятиях автомобильного транспорта. Правила техники безопасности при работе с грузоподъемным оборудованием. Автоматическое тушение пожаров (спринклерная и дренчерная системы).Физические и умственные способности людей, применяемые в производстве товаров и услуг, – это … Физические и химические методы подготовки воды (ответы на тест Синергия / МТИ / МОИ / МосАП)Физические методы определения прочности материаловФизические основы механики

Описание Подробные решения в Ворде!Вариант№ 2Задача № 2. Положение уровня Ферми для Al (алюминия) при Т = 0 К соответствует энергии 11,7 эВ. Рассчитать число свободных электронов, приходящихся на один атом. Эффективную массу электронов проводимости принять равной массе свободного электрона. Задача № 12. Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в германии при 300 К, если ширина его запрещенной зоны 0,66 эВ, а эффективные массы плотности состояний mc=0,55mo, mv=0,388mo. Определить удельное сопротивление материала, если подвижности электронов и дырок, соответственно равны 3800 /В с и 1800 /В с. Задача № 22. Какое напряжение надо приложить к p-n-переходу при Т =300К, чтобы прямой ток через него был равен обратному току насыщения I0? При каком прямом напряжении прямой ток Inp =100·I0? Задача № 32. На полупроводниковый фотодетектор площадью 0,5 падает поток монохроматического излучения (λ=0,565 мкм) плотностью 20 мкВт/. Определить: а) число электронно-дырочных пар, ежесекундно генерируемых в объеме полупроводника, полагая, что каждый фотон создает лишь одну пару носителей заряда; б) во сколько раз изменится скорость генерации, если плотность потока излучения уменьшится вдвое; в) как изменится скорость оптической генерации, если длина волны λ уменьшится вдвое? Задача № 42. Какие процессы происходят в полупроводнике при наличии на его поверхности зарядов? Нарисуйте энергетические диаграммы полупроводника n-типа при наличии на его поверхности: а) небольшого положительного заряда; б) положительного заряда большой плотности; в) небольшого отрицательного заряда; г) отрицательного заряда большой плотности. Вдоль горизонтальной оси откладывайте расстояние х, отсчитываемое вглубь от поверхности проводника. Задача № 52. При пропускании тока через собственный полупроводник под действием поперечного магнитного поля происходит отклонение электронов и дырок к одной и той же боковой грани образца. Возникающее при этом холловское поле не может воспрепятствовать одновременному поперечному смещению электронов и дырок. Объясните, каким образом в полупроводнике достигается состояние динамического равновесия. Почему у боковых граней не происходит бесконечного накопления носителей зарядов? Физические основы электроники - Вариант № 10 (0) - Подробные решения в ВордеФизические основы электроники - Вариант № 2 - 6 задачФизические упражнения в сочетании с использованием оздоровительных сил природы и гигиенических факторов, представляют собой.. сферу физической культурыФизический маятник в виде диска с центром масс в точке C и массой m=8 кг, подвешенный за точку O, отстающую от центра масс на расстояние CO=0,9 м, совершает гармонические не затухающие колебания с амплитудой A=0,9 м, и начальной фазой fi_0=pi/4, рассФизический маятник в виде диска с центром масс в точке C и массой m=9 кг, подвешенный за точку O, отстающую от центра масс на расстояние CO=1,9 м, совершает гармонические не затухающие колебания с амплитудой A=0,2 м, и начальной фазой fi_0=pi/4, рассФизический маятник в виде диска с центром масс в точке C и массой m=9 кг, подвешенный за точку O, отстающую от центра масс на расстояние CO=3,3 м, совершает гармонические не затухающие колебания с амплитудой A=1,3 м, и начальной фазой fi_0=pi/4, рассФизический маятник в виде тонкого прямого стержня длиной l = 120 см колеблется около горизонтальной оси, проходящей перпендикулярно стержню через точку, удалённую на некоторое расстояние a от центра масс стержня.Физическая система, процесс, явление, которые характеризуются одной или несколькими измеряемыми физическими величинами..Физическая химия в дорожном материаловеденииФизические и вредные производственные факторы на предприятиях автомобильного транспорта. Правила техники безопасности при работе с грузоподъемным оборудованием. Автоматическое тушение пожаров (спринклерная и дренчерная системы).Физические и умственные способности людей, применяемые в производстве товаров и услуг, – это … Физические и химические методы подготовки воды (ответы на тест Синергия / МТИ / МОИ / МосАП)Физические методы определения прочности материаловФизические основы механики

Описание Подробные решения в Ворде!Вариант№ 2Задача № 2. Положение уровня Ферми для Al (алюминия) при Т = 0 К соответствует энергии 11,7 эВ. Рассчитать число свободных электронов, приходящихся на один атом. Эффективную массу электронов проводимости принять равной массе свободного электрона. Задача № 12. Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в германии при 300 К, если ширина его запрещенной зоны 0,66 эВ, а эффективные массы плотности состояний mc=0,55mo, mv=0,388mo. Определить удельное сопротивление материала, если подвижности электронов и дырок, соответственно равны 3800 /В с и 1800 /В с. Задача № 22. Какое напряжение надо приложить к p-n-переходу при Т =300К, чтобы прямой ток через него был равен обратному току насыщения I0? При каком прямом напряжении прямой ток Inp =100·I0? Задача № 32. На полупроводниковый фотодетектор площадью 0,5 падает поток монохроматического излучения (λ=0,565 мкм) плотностью 20 мкВт/. Определить: а) число электронно-дырочных пар, ежесекундно генерируемых в объеме полупроводника, полагая, что каждый фотон создает лишь одну пару носителей заряда; б) во сколько раз изменится скорость генерации, если плотность потока излучения уменьшится вдвое; в) как изменится скорость оптической генерации, если длина волны λ уменьшится вдвое? Задача № 42. Какие процессы происходят в полупроводнике при наличии на его поверхности зарядов? Нарисуйте энергетические диаграммы полупроводника n-типа при наличии на его поверхности: а) небольшого положительного заряда; б) положительного заряда большой плотности; в) небольшого отрицательного заряда; г) отрицательного заряда большой плотности. Вдоль горизонтальной оси откладывайте расстояние х, отсчитываемое вглубь от поверхности проводника. Задача № 52. При пропускании тока через собственный полупроводник под действием поперечного магнитного поля происходит отклонение электронов и дырок к одной и той же боковой грани образца. Возникающее при этом холловское поле не может воспрепятствовать одновременному поперечному смещению электронов и дырок. Объясните, каким образом в полупроводнике достигается состояние динамического равновесия. Почему у боковых граней не происходит бесконечного накопления носителей зарядов? Физические основы электроники - Вариант № 10 (0) - Подробные решения в ВордеФизические основы электроники - Вариант № 2 - 6 задачФизические упражнения в сочетании с использованием оздоровительных сил природы и гигиенических факторов, представляют собой.. сферу физической культурыФизический маятник в виде диска с центром масс в точке C и массой m=8 кг, подвешенный за точку O, отстающую от центра масс на расстояние CO=0,9 м, совершает гармонические не затухающие колебания с амплитудой A=0,9 м, и начальной фазой fi_0=pi/4, рассФизический маятник в виде диска с центром масс в точке C и массой m=9 кг, подвешенный за точку O, отстающую от центра масс на расстояние CO=1,9 м, совершает гармонические не затухающие колебания с амплитудой A=0,2 м, и начальной фазой fi_0=pi/4, рассФизический маятник в виде диска с центром масс в точке C и массой m=9 кг, подвешенный за точку O, отстающую от центра масс на расстояние CO=3,3 м, совершает гармонические не затухающие колебания с амплитудой A=1,3 м, и начальной фазой fi_0=pi/4, рассФизический маятник в виде тонкого прямого стержня длиной l = 120 см колеблется около горизонтальной оси, проходящей перпендикулярно стержню через точку, удалённую на некоторое расстояние a от центра масс стержня.Физическая система, процесс, явление, которые характеризуются одной или несколькими измеряемыми физическими величинами..Физическая химия в дорожном материаловеденииФизические и вредные производственные факторы на предприятиях автомобильного транспорта. Правила техники безопасности при работе с грузоподъемным оборудованием. Автоматическое тушение пожаров (спринклерная и дренчерная системы).Физические и умственные способности людей, применяемые в производстве товаров и услуг, – это … Физические и химические методы подготовки воды (ответы на тест Синергия / МТИ / МОИ / МосАП)Физические методы определения прочности материаловФизические основы механики