Ширина запрещенной зоны полупроводника равна Eg = 0,8 эВ. Будет ли наблюдаться внутренний фотоэффект в этом полупроводнике, если его облучать светом с длиной волны λ  2 мкм? (Решение → 21337)

Заказ №39140

470. Ширина запрещенной зоны полупроводника равна Eg = 0,8 эВ. Будет ли наблюдаться внутренний фотоэффект в этом полупроводнике, если его облучать светом с длиной волны λ  2 мкм? Дано: λ=2 мкм=2∙10-6 м Eg = 0,8 эВ Найти: λ0 Решение: Внутренний фотоэффект — это эффект ионизации полупроводника под действием света, приводящий к образованию добавочных неравновесных носителей заряда. Добавочную проводимость, обусловленную внутренним фотоэффектом, называют фотопроводимостью. При внутреннем фотоэффекте первичным процессом является поглощение фотона с энергией, достаточной для возбуждения электрона в зону проводимости (переходы 1 и 2 рисунок 1) или на локальные уровни энергии (переход 3 рисунок 1), расположенные в запрещённой зоне полупроводника. Переход 1 приводит к образованию пары электрон – дырка, тогда как в результате переходов 2 и 3 образуются носители только одного знака. Рисунок 1 Если оптическое возбуждение электронов происходит из валентной зоны в зону проводимости, то наблюдается собственная фотопроводимость, которую создают носители обоих знаков. При этом, очевидно, энергия