Ирина Эланс
Заказ: 1154545
(3 балла) Составьте уравнения Кирхгофа для узлов а, е и контура daced.
(3 балла) Составьте уравнения Кирхгофа для узлов а, е и контура daced.
Описание
Подробное решение
Законы Кирхгофа
- (3 балла) Составьте уравнения Кирхгофа для узлов а, е и контура daced.
- (3 балла) Составьте уравнения Кирхгофа для узлов а, е и контура daсеd. (ответ на экзаменационный вопрос)
- (3 балла) Составьте уравнения Кирхгофа для узлов а, е и контура daсеd. (ответ на экзаменационный вопрос)
- 3. Для четырехполюсника, эквивалентная схема которого приведена на рис. 7, составить уравнения, выражающие зависимость комплексных напряжения U1 входной ветви и тока I2 выходной ветви от комплексных тока I1 входной ветви и напряжения U2 выходной ветви. Параметры элементов цепи: Z0=12 Ом, Z2=6 Ом, Z1=(4+j3) Ом.
- 3. Для четырехполюсника, эквивалентная схема которого приведена на рис. 7, составить уравнения, выражающие зависимость комплексных напряжения U1 входной ветви и тока I2 выходной ветви от комплексных тока I1 входной ветви и напряжения U2 выходной ветви. Параметры элементов цепи: Z0=12 Ом, Z2=6 Ом, Z1=(4+j3) Ом.
- 3 задача. Дано: Сопротивление резистора R = 2 Ом, угловая частота источник ω = 1000 рад/с. 1. Определить параметры реактивных элементов L и С, если в режиме резонанса известны показания приборов: вольтметра – 2 В; ваттметра – 4 Вт. 2. Построить ВДТ и ТДН.
- 3 задача. Дано: Сопротивление резистора R = 2 Ом, угловая частота источник ω = 1000 рад/с. 1. Определить параметры реактивных элементов L и С, если в режиме резонанса известны показания приборов: вольтметра – 2 В; ваттметра – 4 Вт. 2. Построить ВДТ и ТДН.
- 3адание №1 Имеется два образца собственного полупроводникового материала (или германия Gе или кремния Si в зависимости от номера варианта). В первый образец вводят примесь бора (В), а во второй образец — примесь сурьмы (Sb). Для каждого из двух образцов: 1.1. Определить положение уровня Ферми и построить энергетическую (или потенциальную) диаграмму, приняв за базовую величину ширину запрещенной зоны полупроводника. 1.2. Рассчитать коэффициенты диффузии. 1.3. Рассчитать удельное сопротивление собственных и легированных полупроводников. Вариант 21Дано Материал: Ge NA (B)=2•1022 м-3; ND (Sb)=1•1021 м-3; S=10-6 м2; T=300 К; Ln=90•10-6 м; Lp=60•10-6 м; Uпр=0,1 В; Uобр=0,5 В; ni(Ge)=2,4•1019 м-3; ΔEзз (Ge)=0,66 эВ; ε(Ge)=16;
- 3адача 1. По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора (рис. П.1 и П.2 приложения 3) выполнить следующие графо-аналитические расчеты для усилительного каскада: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала; в) рассчитать для линейного (малоискажающего) режима входное сопротивление, а также коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP. Найти полезную мощность в нагрузке PR и мощность PK, рассеиваемую в коллекторе. Вариант 38 (транзистор КТ819)
- 3адача 5. По заданным статическим характеристикам (рис. П.8, П.9 приложения 3) полевого транзистора и табличным высокочастотным параметрам (табл. 2 приложения 4) выполнить следующие расчеты для усилительного каскада: а) рассчитать малосигнальные электрические параметры и построить эквивалентную схему прибора на низкой частоте; б) рассчитать параметры физической эквивалентной схемы полевого транзистора на высокой частоте. Вариант 38 (транзистор КП313)
- (3 балла) Используя метод сложения АВХ, постройте результирующую характеристику последовательной цепи и определите напряжение в цепи при величине тока 0,3 А.
- (3 балла) Используя метод сложения АВХ, постройте результирующую характеристику последовательной цепи и определите напряжение в цепи при величине тока 0,3 А.
- (3 балла) Определите эквивалентное сопротивление цепи относительно источника при R1 = 1; R2 = R3 = 2; R4 = 4 Ом.
- (3 балла) Определите эквивалентное сопротивление цепи относительно источника при R1 = 1; R2 = R3 = 2; R4 = 4 Ом.
Предварительный просмотр
