3адание №1 Имеется два образца собственного полупроводникового материала (или германия Gе или кремния Si в зависимости от номера варианта). В первый образец вводят примесь бора (В), а во второй образец — примесь сурьмы (Sb). Для каждого из двух образцов: 1.1. Определить положение уровня Ферми и построить энергетическую (или потенциальную) диаграмму, приняв за базовую величину ширину запрещенной зоны полупроводника. 1.2. Рассчитать коэффициенты диффузии. 1.3. Рассчитать удельное сопротивление собственных и легированных полупроводников. Вариант 21Дано Материал: Ge NA (B)=2•1022 м-3; ND (Sb)=1•1021 м-3; S=10-6 м2; T=300 К; Ln=90•10-6 м; Lp=60•10-6 м; Uпр=0,1 В; Uобр=0,5 В; ni(Ge)=2,4•1019 м-3; ΔEзз (Ge)=0,66 эВ; ε(Ge)=16;