Ирина Эланс
Заказ: 1152557
Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение напряжения uR2=187sin(341t+(-35)), сопротивление резистивных элементов R1 = 2 Ом и R2 = 8 Ом, индуктивность катушки L1 = 15 мГн и емкость конденсатора C1 = 603 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) общий ток I0.
Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение напряжения uR2=187sin(341t+(-35)), сопротивление резистивных элементов R1 = 2 Ом и R2 = 8 Ом, индуктивность катушки L1 = 15 мГн и емкость конденсатора C1 = 603 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) общий ток I0.
Описание
Подробное решение в WORD
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение силы тока i=7sin(341t+(-2)), сопротивление резистивных элементов R1 = 6 Ом и R2 = 3 Ом, индуктивность катушки L1 = 24 мГн и емкость конденсатора C1 = 724 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) напряжение на резистивном элементе R2.
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение силы тока i=7sin(341t+(-2)), сопротивление резистивных элементов R1 = 6 Ом и R2 = 3 Ом, индуктивность катушки L1 = 24 мГн и емкость конденсатора C1 = 724 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) напряжение на резистивном элементе R2.
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение силы тока i=8sin(341t+(-6)), сопротивление резистивных элементов R1 = 2 Ом и R2 = 3 Ом, индуктивность катушки L1 = 17 мГн и емкость конденсатора C1 = 598 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) ток текущий через емкостной элемент С1.
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение силы тока i=8sin(341t+(-6)), сопротивление резистивных элементов R1 = 2 Ом и R2 = 3 Ом, индуктивность катушки L1 = 17 мГн и емкость конденсатора C1 = 598 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) ток текущий через емкостной элемент С1.
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение силы тока i=9sin(341t+(21)), сопротивление резистивных элементов R1 = 8 Ом и R2 = 6 Ом, индуктивность катушки L1 = 28 мГн и емкость конденсатора C1 = 750 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) напряжение на резистивном элементе UR2.
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение силы тока i=9sin(341t+(21)), сопротивление резистивных элементов R1 = 8 Ом и R2 = 6 Ом, индуктивность катушки L1 = 28 мГн и емкость конденсатора C1 = 750 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) напряжение на резистивном элементе UR2.
- Дана простоая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение силы тока iC1=7sin(341t+(-7)), сопротивление резистивных элементом R1 = 9 Ом и R2 = 5 Ом, индуктивность катушки L1 = 18 мГн и емкость конденсатора C1 = 766 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) общее напряжение U0.
- Дана правильная четырехугольная пирамида PABCD со стороной основания, равной 10, и боковым ребром 5√(10). ABCD - основание.а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через прямую ВМ параллельно диагонали АС, если точка М - середина ребра АР.б) Найдите величину угла между плоскостью сечения и плоскостью РАС.
- Дана правильная четырехугольная пирамида SABCD, все ребра которой равны.а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через диагональ BD основания перпендикулярно грани SCD.б) Найдите площадь этого сечения, если каждое ребро данной пирамиды равно 5.
- Дана правильная четырехугольная пирамида SMNPQ с вершиной в точке S, сторона основания равна 5√3, а плоский угол при вершине пирамиды равен 60°.а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через диагональ NQ основания параллельно боковому ребру PS.б) Найдите площадь сечения.
- Дана правильная четырехугольная пирамида SMNPQ с вершиной в точке S, сторона основания равна 7, а плоский угол при вершине пирамиды равен 90°.а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через диагональ NQ основания параллельно боковому ребру PS.б) Найдите площадь сечения.
- Дана правильная четырехугольная пирамида SMNPQ со стороной основания MNPQ, равной 6, и боковым ребром 3√(26). а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через прямую NF параллельно диагонали МР, если точка F - середина ребра КМР.б) Найдите величину угла между плоскостью сечения и плоскостью КМР.
- Дана простая, независимая выборка объёмом 16. 6.1. Вычислить X, S2b, Sk, Ex; 6.2. построить таблицу vi, ωi, ϑi выполнив разбиение на 5 групп; 6.3. построить гистограмму; 6.4. построить доверительные интервалы для X, S2b (β = 0,94)
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение напряжения uR2=187sin(341t+(-35)), сопротивление резистивных элементов R1 = 2 Ом и R2 = 8 Ом, индуктивность катушки L1 = 15 мГн и емкость конденсатора C1 = 603 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) общий ток I0.
Предварительный просмотр
