Ирина Эланс
Заказ: 1055098
Дана правильная четырехугольная пирамида SMNPQ с вершиной в точке S, сторона основания равна 7, а плоский угол при вершине пирамиды равен 90°.а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через диагональ NQ основания параллельно боковому ребру PS.б) Найдите площадь сечения.
Дана правильная четырехугольная пирамида SMNPQ с вершиной в точке S, сторона основания равна 7, а плоский угол при вершине пирамиды равен 90°.а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через диагональ NQ основания параллельно боковому ребру PS.б) Найдите площадь сечения.
Описание
Подробное решение.
- Дана правильная четырехугольная пирамида SMNPQ со стороной основания MNPQ, равной 6, и боковым ребром 3√(26). а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через прямую NF параллельно диагонали МР, если точка F - середина ребра КМР.б) Найдите величину угла между плоскостью сечения и плоскостью КМР.
- Дана простая, независимая выборка объёмом 16. 6.1. Вычислить X, S2b, Sk, Ex; 6.2. построить таблицу vi, ωi, ϑi выполнив разбиение на 5 групп; 6.3. построить гистограмму; 6.4. построить доверительные интервалы для X, S2b (β = 0,94)
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение напряжения uR2=187sin(341t+(-35)), сопротивление резистивных элементов R1 = 2 Ом и R2 = 8 Ом, индуктивность катушки L1 = 15 мГн и емкость конденсатора C1 = 603 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) общий ток I0.
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение напряжения uR2=187sin(341t+(-35)), сопротивление резистивных элементов R1 = 2 Ом и R2 = 8 Ом, индуктивность катушки L1 = 15 мГн и емкость конденсатора C1 = 603 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) общий ток I0.
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение силы тока i=7sin(341t+(-2)), сопротивление резистивных элементов R1 = 6 Ом и R2 = 3 Ом, индуктивность катушки L1 = 24 мГн и емкость конденсатора C1 = 724 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) напряжение на резистивном элементе R2.
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение силы тока i=7sin(341t+(-2)), сопротивление резистивных элементов R1 = 6 Ом и R2 = 3 Ом, индуктивность катушки L1 = 24 мГн и емкость конденсатора C1 = 724 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) напряжение на резистивном элементе R2.
- Дана простая цепь синусоидального тока. Дано мгновенное значение силы тока i=8sin(341t+(-6)), сопротивление резистивных элементов R1 = 2 Ом и R2 = 3 Ом, индуктивность катушки L1 = 17 мГн и емкость конденсатора C1 = 598 мкФ. Необходимо рассчитать и записать в комплексном виде (показательная форма записи) ток текущий через емкостной элемент С1.
- Дана последовательность натуральных чисел, в которой каждое число, кроме первого и последнего, меньше среднего арифметического соседних с ним чисел.а) Приведите пример последовательности, состоящей из пяти членов, с суммой, равной 40.б) Может ли в последовательности из пяти членов быть два равных между собой?в) Какая минимальная сумма может быть может быть в последовательности из шести членов?
- Дана правильная призма АВСDA1B1C1D1, M и N - середины ребер АВ и ВС соответственно, точка К - середина MN.б) Найдите угол между плоскостями MND1 и АВС, если АВ = 8, АА1 = 6√2.
- Дана правильная призма АВСDA1B1C1D1, точка М лежит на ребре CD, точка N лежит на ребре ВС, при этом СМ = 1/3CD, CN = 1/3ВС, точка L - середина MN.а) Докажите, что прямые А1L и MN перпендикулярны.б) Найдите угол между плоскостями MNA1 и АВС, если АВ = 6, АА1 = 5√6.
- Дана правильная треугольная пирамида SABCD. а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через точку М ребра SA перпендикулярно высоте CN основания пирамиды.б) Найдите площадь этого сечения, если каждое ребро данной пирамиды равно 6 и АМ : MS = 1 : 3.
- Дана правильная четырехугольная пирамида PABCD со стороной основания, равной 10, и боковым ребром 5√(10). ABCD - основание.а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через прямую ВМ параллельно диагонали АС, если точка М - середина ребра АР.б) Найдите величину угла между плоскостью сечения и плоскостью РАС.
- Дана правильная четырехугольная пирамида SABCD, все ребра которой равны.а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через диагональ BD основания перпендикулярно грани SCD.б) Найдите площадь этого сечения, если каждое ребро данной пирамиды равно 5.
- Дана правильная четырехугольная пирамида SMNPQ с вершиной в точке S, сторона основания равна 5√3, а плоский угол при вершине пирамиды равен 60°.а) Постройте сечение пирамиды плоскостью, проходящей через диагональ NQ основания параллельно боковому ребру PS.б) Найдите площадь сечения.
