Заказ: 1026283

Для создания диода Шоттки на пластину n-кремния толщиной 150 мкм наносился слой золота (барьер Шоттки φб = 0,5 эВ). Концентрация электронов в полупроводнике n0 = 2·1015 см-3. Площадь контакта S = 5·10-5 см2. Температура 300 К. На диод подано отрицательное смещение U = -10 В. 1. Определить ток при U = -10 В. 2. Определить сопротивление контакта RШ. 3. Рассчитать сопротивление базы диода. 4. Определить частотный диапазон Δf = fmax – fmin. 5. В чем принципиальное отличие работы диодов Шоттки от работы p-n перехода?

Для создания диода Шоттки на пластину n-кремния толщиной 150 мкм наносился слой золота (барьер Шоттки φб = 0,5 эВ). Концентрация электронов в полупроводнике n0 = 2·1015 см-3. Площадь контакта S = 5·10-5 см2. Температура 300 К. На диод подано отрицательное смещение U = -10 В. 1. Определить ток при U = -10 В. 2. Определить сопротивление контакта RШ. 3. Рассчитать сопротивление базы диода. 4. Определить частотный диапазон Δf = fmax – fmin. 5. В чем принципиальное отличие работы диодов Шоттки от работы p-n перехода?
Описание

1 КРАТКАЯ ТЕОРИЯ 3
2 РЕШЕНИЕ 4
2.1 Определение тока. 5
2.2 Сопротивление контакта 6
2.3 Сопротивление базы диода 6
2.4 Частотный диапазон 7
2.5 Принципиальное отличие. 8
3 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 10
4 СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ 11

Подробное решение в WORD

Диод Шоттки

Для создания диода Шоттки на пластину n-кремния толщиной 150 мкм наносился слой золота (барьер Шоттки φб = 0,5 эВ). Концентрация электронов в полупроводнике n0 = 2·1015 см-3. Площадь контакта S = 5·10-5 см2. Температура 300 К. На диод подано отрицательное смещение U = -10 В. 1. Определить ток при U = -10 В. 2. Определить сопротивление контакта RШ. 3. Рассчитать сопротивление базы диода. 4. Определить частотный диапазон Δf = fmax – fmin. 5. В чем принципиальное отличие работы диодов Шоттки от работы p-n перехода? (Решение → 17902)

Для создания диода Шоттки на пластину n-кремния толщиной 150 мкм наносился слой золота (барьер Шоттки φб = 0,5 эВ). Концентрация электронов в полупроводнике n0 = 2·1015 см-3. Площадь контакта S = 5·10-5 см2. Температура 300 К. На диод подано отрицательное смещение U = -10 В. 1. Определить ток при U = -10 В. 2. Определить сопротивление контакта RШ. 3. Рассчитать сопротивление базы диода. 4. Определить частотный диапазон Δf = fmax – fmin. 5. В чем принципиальное отличие работы диодов Шоттки от работы p-n перехода? (Решение → 17902)

Для создания диода Шоттки на пластину n-кремния толщиной 150 мкм наносился слой золота (барьер Шоттки φб = 0,5 эВ). Концентрация электронов в полупроводнике n0 = 2·1015 см-3. Площадь контакта S = 5·10-5 см2. Температура 300 К. На диод подано отрицательное смещение U = -10 В. 1. Определить ток при U = -10 В. 2. Определить сопротивление контакта RШ. 3. Рассчитать сопротивление базы диода. 4. Определить частотный диапазон Δf = fmax – fmin. 5. В чем принципиальное отличие работы диодов Шоттки от работы p-n перехода?