Контрольная работа №2 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»Вариант 16

Вопрос № 18
Объясните заполнение энергетических зон (валентной и зоны проводимости) полупроводников при температуре 0 К. Ответы:
1) зона проводимости не содержит электронов;
2) в запрещенной зоне есть ничтожное количество свободных электронов;
3) валентная зона полностью занята электронами;
4) в запрещенной зоне свободных электронов нет.

Вопрос № 35
Укажите правильные соотношения между параметрами электрона и дырки, соответствующие одному и тому же квантовому состоянию? Ответы:
1) Ep = -En, mp = -mn, ep = -en;
2) Ep = En, mp = -mn, ep = en;
3) Ep = -En, mp = mn, ep = en;
4) Ep = En, mp = mn, ep = -en.
где Ep, En - кинетическая энергия, mp, mn -эффективная масса, ep, en - заряд дырки и электрона, соответственно.

Вопрос № 64
Какую физическую характеристику можно определить из температурной зависимости концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике? Ответы:
1) температуру плавления полупроводника;
2) температуру, при которой концентрации электронов и дырок становятся равными;
3) ширину запрещенной зоны;
4) энергию ионизации примесных атомов.

Вопрос № 73
Какое из нижеприведенных утверждений дает правильное представление о времени релаксации электрона? Ответы:
1) это время, за которое неравновесная электронная система после выключения электрического поля приходит в равновесное состояние;
2) это время, за которое скорость направленного движения электронов после выключения электрического поля уменьшается в е = 2,72 раз;
3) это время жизни носителей заряда в соответствующих зонах;
4) это время, за которое электроны и дырки рекомбинируют.

Вопрос № 106
Каким параметром характеризуется процесс генерации носителей заряда? Ответы:
1) концентрацией электронов в зоне проводимости или дырок в валентной зоне, возникающих в единице объема;
2) скоростью создания (g) носителей или электронно - дырочных пар в единице объема в единицу времени;
3) скоростью изменения количества носителей в единицу времени [c-1];
4) энергией уровня, который поставляет свободные носители заряда с размерностью (эВ).

Задача 3.9.
Определите дрейфовые скорости электронов в образцах кремния (Si), германия (Ge), арсенида галлия (GaAs), арсенида индия (InAs) и антимонида индия (InSb) n-типа проводимости при Т=300 К в электрическом поле напряженностью 100 В/м, если подвижности основных носителей заряда в них равны, соответственно, 0,15, 0,39, 0,85, 2,7 и 7,7 м²/В.с.

ТУСУР
5 страниц в WORD

Предварительный просмотр