Заказ: 1105314

Лабораторная работа № 8 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ОБРАЗОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ НА КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОКИСЛЕНИИ

Лабораторная работа № 8 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ОБРАЗОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ НА КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОКИСЛЕНИИ
Описание

ЦЕЛЬ РАБОТЫ: ознакомиться с теоретическими основами роста окисных пленок на кремнии и методами расчета некоторых технологических параметров.

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
Этапы роста окисной пленки
Модель термического окисления кремния
Влияние ориентации на скорость окисления
Методы окисления и оборудование

ХОД РАБОТЫ:
1. Исходные данные для расчета: температура окисления кремниевой пластины Т = 800+15(N-1)°C.
2. Используя данные таблиц, построить температурные зависимости констант скорости окисления кремния в сухом и влажном кислороде.
3. Для заданной температуры , используя построенные в п.2 графики, найти соответствующие значения констант скорости окисления кремния в сухом и влажном кислороде.
Примечание: значения констант скорости представлены в следующем пункте перед соответствующими графиками зависимостей.
4. Построить графики зависимостей толщины окислов от времени окисления в условиях влажного, сухого кислорода, а также, в зависимости от кристаллографической ориентации поверхности кремния. Время окисления 150 мин; число точек - не менее 10.
Вывод

Всего: 15 страниц









Предварительный просмотр

Лабораторная работа № 8  РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ОБРАЗОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ НА КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОКИСЛЕНИИ