Лабораторная работа №2 Моделирование входных цепей однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторахЦелью лабораторной работы является разработка моделей входных цепей однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей напряжения для схем с общими эмиттером, базой и коллектором.

2 Содержание работы
Содержанием практической части работы является разработка моделей входных цепей однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей напряжения для схем с общими эмиттером, базой и коллектором.
Выполнение лабораторной работы проводится на ПЭВМ и прикладных программ «EWB5.12» и «Micro-CaP8».
3 Краткие теоретические сведения
3.1 Цепи смещения в каскадах биполярных транзисторов по схемам ОЭ и ОБ
3.2 Исследование влияния цепей смещения на входные сопротивления в каскадах на биполярных транзисторах по схемам ОЭ и ОБ
3.3 Цепи смещения в каскадах биполярных транзисторов по схемам ОК
3.4 Исследование влияния цепей смещения на входные сопротивления в каскадах на биполярных транзисторах по схеме ОК
4 Разработка схем входных цепей однокаскадных усилителей на биполярном транзисторе
4.1 Разработка моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОЭ на биполярном n-p-n транзисторе
4.1.1 Разработка исходных моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОЭ на биполярном n-p-n транзисторе.
4.1.2 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей с фиксированным током
4.1.3 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей с фиксированным напряжением
4.2 Разработка моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОБ на биполярном n-p-n транзисторе
4.2.1 Разработка исходных моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОБ на биполярном n-p-n транзисторе
4.2.2 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей с фиксированным током базы по схеме ОБ
4.2.3 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей с фиксированным напряжением на базе по схеме с ОБ
4.3 Разработка моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОК на биполярном n-p-n транзисторе
4.3.1 Разработка исходных моделей однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОК на биполярном n-p-n транзисторе
4.3.2 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей с фиксированным током
4.3.3 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя на биполярных транзисторах по схеме ОК на основе резистивных делителей с фиксированным напряжением
4.3.4 Разработка модели входной цепи однокаскадного резистивного усилителя по схеме ОК на биполярных транзисторах на основе резистивных делителей со следящей связью

Вывод

Подробное решение в WORD - всего 22 страницы (22 рисунка и схемы)


Electronics WorkBench

Предварительный просмотр