Ирина Эланс
Заказ: 1055165
На ребрах BS и CS правильной четырехугольной пирамиды SABCD со стороной основания AD = 10 и боковым ребром SA = 5√6 взяты точки К и М соответственно так, что SK : ВК = СМ : SМ = 3 : 2.а) Докажите, что КМ перпендикулярна SC.б) Найдите угол между прямой КМ и плоскостью оснвоания пирамиды.
На ребрах BS и CS правильной четырехугольной пирамиды SABCD со стороной основания AD = 10 и боковым ребром SA = 5√6 взяты точки К и М соответственно так, что SK : ВК = СМ : SМ = 3 : 2.а) Докажите, что КМ перпендикулярна SC.б) Найдите угол между прямой КМ и плоскостью оснвоания пирамиды.
Описание
Подробное решение.
- На рельсах стоит платформа массой m1 = 10 т, на платформе закреплено орудие массой m2 = 5 т, из которого проводится выстрел вдоль рельсов. Масса снаряда m3 = 100 кг, его начальная скорость относительно орудия υ0 = 500 м/с. Определить скорость υx платформы в первый момент времени, если: 1) платформа стояла неподвижно, 2) платформа двигалась со скоростью υ1 = 18км/ч, и выстрел был произведён в направлении её движения, 3) платформа двигалась со скоростью υ1 = 18 км/ч, и выстрел был произведён в направлении, противоположном её движению
- На рис. 10.43 представлена упрощенная схема цепи дифференциального мостового измерителя перемещений. В верхние два плеча включены близко расположенные одинаковые индуктивные катушки с общим плунжером (якорем). При равновесии моста он занимает симметричное положение по отношению к среднему сечению катушек. Тогда их полные сопротивления составляют Z= √R2+X2L = 200 Ом. При перемещении плунжера вправо на некоторую величину δ (рис. 10.43) сопротивления катушек изменились на ± ∆Z = 5 Ом. Активные сопротивления во всех плечах моста одинаковы, т. е. R1 = R2 = R3 = R4 = 20 Ом. Напряжение питания моста Uвх = 10 В. Определить значение напряжения на выходе моста Uвых(δ).
- На рис. 11.1, а представлена комплексная плоскость с изображенной на ней векторной диаграммой неразветвленной электрической цепи переменного тока. Выразить напряжения и ток цепи комплексными числами в трех формах (алгебраической, тригонометрической и показательной), если U1 = 100 В, U2 = 50 В и l = 0,9 А. Составить комплексное выражение (комплекс) для напряжения и на входе цепи и записать мгновенное значение входного напряжения по его комплексному значению. Определить комплексы сопротивлений цепи и ее участков. Представить мощность цепи в комплексной форме. Определить активные и реактивные составляющие напряжений и тока цепи.
- На рис. 11.1, а представлена комплексная плоскость с изображенной на ней векторной диаграммой неразветвленной электрической цепи переменного тока. Выразить напряжения и ток цепи комплексными числами в трех формах (алгебраической, тригонометрической и показательной), если U1 = 100 В, U2 = 50 В и l = 0,9 А. Составить комплексное выражение (комплекс) для напряжения и на входе цепи и записать мгновенное значение входного напряжения по его комплексному значению. Определить комплексы сопротивлений цепи и ее участков. Представить мощность цепи в комплексной форме. Определить активные и реактивные составляющие напряжений и тока цепи.
- На рис. 1.13 показана схема электрической цепи с резисторами, сопротивления которых R1 = 18 Ом, R2 = 30 Ом, R3 = 20 Ом. Определить токи ветвей, если напряжение U = 120 B.
- На рис. 1.13 показана схема электрической цепи с резисторами, сопротивления которых R1 = 18 Ом, R2 = 30 Ом, R3 = 20 Ом. Определить токи ветвей, если напряжение U = 120 B.
- На рис. 1.1 приведена схема цепи со смешанным соединением резисторов. ЭДС источника E, его внутреннее сопротивление R0, сопротивления резисторов R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7. Начертить схему цепи, указав стрелками токи во всех резисторах. Индекс тока (и напряжения) должен соответствовать индексу R соответствующего резистора. Определить эквивалентное сопротивление цепи, токи во всех резисторах, мощность в резисторе с самым большим сопротивлением и потенциал φ точки, указанной для данного варианта. Задача 4 R0=1 Ом; R1=8 Ом; R2=40 Ом; R3=16 Ом; R4=16 Ом; R5=120 Ом; R6=30 Ом; R7=0 Ом; E=25 В; φБ=?
- На расстоянии а от точечного монохроматического источника света расположен непрозрачный экран с узкой щелью шириной d<<а. Дифракционную картину наблюдают на экране, который находится за щелью на расстоянии b=а. 1) При какой длине волны λ источника в центре картины будет наиболее интенсивный максимум? 2) Чему равно отношение интенсивности в центре картины и на границе геометрической тени? 3) Как изменится интенсивность в центре картины, если b уменьшить в два раза?
- На расчёт нелинейной электрической цепи по мгновенным значениямРассчитаем периодический процесс в нелинейной электрической цепи по характеристикам для мгновенных значений и построим графики изменения требуемых величин во времени. Схема, представленная на рис., состоит из источника синусоидальной ЭДС e(t) = Emsin(500t); двух резисторов сопротивлениями R1 = R2 = 1000 Ом и конденсатора СH с нелинейной кулон-вольтной характеристикой, которая изображена на рис. (qm =10-4 Кл). Построить зависимости заряда q, напряжения на конденсаторе ucb и токов i1 и iC в функции ωt. Еm = 100 В
- На расчёт нелинейной электрической цепи по мгновенным значениямРассчитаем периодический процесс в нелинейной электрической цепи по характеристикам для мгновенных значений и построим графики изменения требуемых величин во времени. Схема, представленная на рис., состоит из источника синусоидальной ЭДС e(t) = Emsin(500t); двух резисторов сопротивлениями R1 = R2 = 1000 Ом и конденсатора СH с нелинейной кулон-вольтной характеристикой, которая изображена на рис. (qm =10-4 Кл). Построить зависимости заряда q, напряжения на конденсаторе ucb и токов i1 и iC в функции ωt. Еm = 100 В
- На расчёт нелинейной электрической цепи по мгновенным значениямРассчитаем периодический процесс в нелинейной электрической цепи по характеристикам для мгновенных значений и построим графики изменения требуемых величин во времени. Схема, представленная на рис., состоит из источника синусоидальной ЭДС e(t) = Emsin(500t); двух резисторов сопротивлениями R1 = R2 = 1000 Ом и конденсатора СH с нелинейной кулон-вольтной характеристикой, которая изображена на рис. (qm =10-4 Кл). Построить зависимости заряда q, напряжения на конденсаторе ucb и токов i1 и iC в функции ωt. Еm = 130 В
- На расчёт нелинейной электрической цепи по мгновенным значениямРассчитаем периодический процесс в нелинейной электрической цепи по характеристикам для мгновенных значений и построим графики изменения требуемых величин во времени. Схема, представленная на рис., состоит из источника синусоидальной ЭДС e(t) = Emsin(500t); двух резисторов сопротивлениями R1 = R2 = 1000 Ом и конденсатора СH с нелинейной кулон-вольтной характеристикой, которая изображена на рис. (qm =10-4 Кл). Построить зависимости заряда q, напряжения на конденсаторе ucb и токов i1 и iC в функции ωt. Еm = 130 В
- На реактивный самолет действуют в вертикальном направлении сила тяжести 550 кН и подъемная сила 555 кН, а в горизонтальном направлении-сила тяги 162 кН и сила сопротивления воздуха 150 кН. Найти модуль и направление равнодействующей
- На ребрах AD и BD правильного тетраэдра DABC взяты точки М и К соответственно так, что MD : АМ = ВК : КD = 2.а) Пусть L - точка пересечения прямой КМ с плоскостью АВС. Докажите, что АВ : AL = 3.б) Найдите угол между прямой КМ и плоскостью АВС.
