Ирина Эланс
Заказ: 1078232
Полупроводниковые диоды (курсовая работа)
Полупроводниковые диоды (курсовая работа)
Описание
Введение
1. Назначение и область применения
2. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
3. Общий принцип действия
4. Конструкция полупроводниковых диодов
5. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
6. Выпрямительные диоды
7. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды
8. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды
9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации
10. Эффекты полупроводника
11. Переход Шоттки
12. Изготовление
13. Достоинства и недостатки
14. Перспективы развития
Заключение
Список литературы
35 страниц WORD
- Полупроводниковые материалы. (реферат)
- Полупроводниковые светодиоды (курсовой проект)
- Полупроводниковые тиристоры. Приведите структуру триодного тиристора с управлением по катоду. Опишите происходящие в нем физические процессы. Приведите ВАХ тринистора и поясните её участки.
- Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты, носит название… Выберите один ответ. - выпрямительный диод - смесительный диод - импульсный диод - СВЧ-диод
- Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для целей: Выберите один ответ: - усиление напряжения - регулирования напряжения - выпрямление переменного напряжения - защиты от перенапряжений - стабилизации напряжения
- Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для цепей: - усиление напряжения; - регулирования напряжения; - выпрямление переменного напряжения; - защиты от перенапряжений; - стабилизация напряжения
- Полупроводниковый прибор, содержащий два взаимодействующих электронно-дырочных перехода, три или более выводов, носит название… Выберите один ответ.- тиристор - полевой транзистор - биполярный транзистор - стабилитрон
- Полосовой фильтр типа «m». Основные характеристики, электрические схемы.
- Полосовой фильтр типа “к”
- Полосы листового проката длинной 200 см необходимо разрезать на заготовки трех типов: А, Б и В соответственно 57, 82 и 101 см для производства 50 изделий. На каждое изделие требуется по 4 заготовки типов А и Б и 5 заготовок типа В. Можно указать пять способов раскроя одной полосы. Количество заготовок, нарезаемых из одной полосы при каждом способе раскроя, приведено в табл.Определить, какое количество полос проката нужно разрезать каждым способом для изготовления 50 изделий, чтобы отходы от раскроя были наименьшими.
- Полупроводник n-типа создается примесью 1. Акцепторной 2. Донорной 3. Верно 1 и 2
- Полупроводниковая структура, в которой управление током в объемном канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля. Вариант 03Канал – приповерхностный (нечетная последняя цифра студенческого билета), Uпор = -1 В. Удельная крутизна b1 = 0,25 мА/В2Определить: 1) Тип канала (p или n) 2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током. 3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L=L1 , удельной крутизне b1=0,12 мА/В2 и L2=2 L1 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала. 4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L. 5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1 )
- Полупроводниковая структура, в которой управление током в объемном канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля. Напряжение отсечки Uотс = 5 В . Удельная крутизна b1=0,1 мА/В2 .Определить: 1) Тип канала (p или n) 2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током. 3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L=L1 , удельной крутизне b1=0,12 мА/В2 и L2=2 L1 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала. 4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L. 5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1 )
- Полупроводниковая структура, в которой управление током в объемном канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля. Напряжение отсечки Uотс = 6 В . Удельная крутизна b1=0,1 мА/В2 .Определить: 1) Тип канала (p или n) 2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током. 3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L=L1 , удельной крутизне b1=0,12 мА/В2 и L2=2 L1 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала. 4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L. 5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1 )
