Ирина Эланс
Заказ: 1136830
Полупроводниковые тиристоры. Приведите структуру триодного тиристора с управлением по катоду. Опишите происходящие в нем физические процессы. Приведите ВАХ тринистора и поясните её участки.
Полупроводниковые тиристоры. Приведите структуру триодного тиристора с управлением по катоду. Опишите происходящие в нем физические процессы. Приведите ВАХ тринистора и поясните её участки.
Описание
Ответ на теоретический вопрос - 2 страницы
- Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты, носит название… Выберите один ответ. - выпрямительный диод - смесительный диод - импульсный диод - СВЧ-диод
- Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для целей: Выберите один ответ: - усиление напряжения - регулирования напряжения - выпрямление переменного напряжения - защиты от перенапряжений - стабилизации напряжения
- Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для цепей: - усиление напряжения; - регулирования напряжения; - выпрямление переменного напряжения; - защиты от перенапряжений; - стабилизация напряжения
- Полупроводниковый прибор, содержащий два взаимодействующих электронно-дырочных перехода, три или более выводов, носит название… Выберите один ответ.- тиристор - полевой транзистор - биполярный транзистор - стабилитрон
- Полупроводниковый стабилитрон. Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры (ответ на теоретический вопрос экзамена)
- Полупроводниковыми свойствами обладает… Пояснение:Выберите один ответ. - Аs - Ga - Р - Si
- Полупроводник, полученный путем введения в четырехвалентный полупроводник атомов трехвалентной примеси называется полупроводником… 1. n-типа 2. р-типа 3. i-типа 4. собственным
- Полупроводник n-типа создается примесью 1. Акцепторной 2. Донорной 3. Верно 1 и 2
- Полупроводниковая структура, в которой управление током в объемном канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля. Вариант 03Канал – приповерхностный (нечетная последняя цифра студенческого билета), Uпор = -1 В. Удельная крутизна b1 = 0,25 мА/В2Определить: 1) Тип канала (p или n) 2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током. 3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L=L1 , удельной крутизне b1=0,12 мА/В2 и L2=2 L1 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала. 4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L. 5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1 )
- Полупроводниковая структура, в которой управление током в объемном канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля. Напряжение отсечки Uотс = 5 В . Удельная крутизна b1=0,1 мА/В2 .Определить: 1) Тип канала (p или n) 2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током. 3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L=L1 , удельной крутизне b1=0,12 мА/В2 и L2=2 L1 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала. 4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L. 5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1 )
- Полупроводниковая структура, в которой управление током в объемном канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля. Напряжение отсечки Uотс = 6 В . Удельная крутизна b1=0,1 мА/В2 .Определить: 1) Тип канала (p или n) 2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током. 3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L=L1 , удельной крутизне b1=0,12 мА/В2 и L2=2 L1 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала. 4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L. 5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1 )
- Полупроводниковые диоды (курсовая работа)
- Полупроводниковые материалы. (реферат)
- Полупроводниковые светодиоды (курсовой проект)
