«Расчёт параметров полупроводниковых материалов» и «Селен» (Курсовая работа по дисциплине «Материалы электронных средств» ) Вариант 13

Введение 3
1. О материале 4
2. Получение селена 4
3. Физические и химические свойства селена 4
4. Применение селена 5
5. Заключение 7
6.Задания: 8
Задача 1. 8
Задача 2. 9
Задача 3. 10
Задача 4. 11
Задача 5. 12
Задача 6. 13
Задача 7. 14
Задача 8. 15
7. Вывод 16
8. Список литературы 17

Задания:
Вариант 15:
Исходный тип полупроводникового материала: InAs
Электрофизические параметры:
ΔWзап =0,36 эВ
μn=33000 cм²/(B*c)
μp=450 см²/(B*c)
Для собственного полупроводника из заданного материала определить:
Задача 1. Концентрацию электронов ni и дырок pi при T=280K
Задача 2. Энергию уровня Ферми Wfi (при расчетах считать, что дну зоны проводимости Wc соответствует энергия, равная 0 эВ)
Задача 3. Вероятность нахождения электрона на энергетическом уровне с энергией 0.01 эВ (при расчетах считать, что дну зоны проводимости Wc соответствует энергия, равная 0 эВ)
Задача 4. Удельную электрическую проводимость δi
Задача 5. Удельное электрическое сопротивление рi
Задача 6. Плотность тока ji, возникающего в данном полупроводниковом образце, при создании в нём электрического поля напряженностью E, составляющей 100В/м
Задача 7. Как изменятся рассчитанные выше параметры при повышении температуры от 280К до 330К
Задача 8. Какую часть от общей плотности тока ji, возникающего в данном полупроводниковом образце, составляет плотность электрического тока jn, а какую часть плотность дырочного тока jp.