Расчет параметров модели p-n перехода (диода) Курсовая работа по электронике. Вариант 5

Исходные данные для проведения расчетов:
Ln = Lp = 0,6·10^-2 см – диффузионные длины электронов и дырок в Ge;
Ln = Lp = 0,6·10^-2 см - диффузионные длины электронов и дырок в Si;
NA = 4,0·10¹⁶ см^-3 – концентрация акцепторов;
ND = 6,0·10¹⁴ см^-3 – концентрация доноров;
Rб = 30,0 Ом – сопротивление базы;
Sпер = 5,0·10^-4 см2 – площадь перехода;
Рмакс = 50,0·10^-3 Вт – максимальная рассеиваемая мощность в базе диода.

Работа 1.
Вольт-амперные характеристики полупроводникового диода.
I. Исходные данные для проведения расчетов
II. Определение величины обратного тока диодной структуры I₀
III. Расчет вольт-амперной характеристики идеального перехода и зависимость дифференциального сопротивления от напряжения
IV. Расчет вольт-амперной характеристики реального перехода и зависимость дифференциального сопротивления от напряжения
V. Заключение

Работа 2.
Вольт-фарадные характеристики полупроводникового диода
Цель работы:
1. Расчет и построение зависимости емкости обратно смещенного р-n перехода от напряжения.
2. Определение диапазона электронной перестройки частоты колебательного контура для заданных электрофизических параметрах перехода.

I. Исходные данные для проведения расчетов:
ε = 16 – диэлектрическая проницаемость германия;
ε = 12 – диэлектрическая проницаемость кремния;
ni = 2,5·10¹³ см^-3 – собственная концентрация в германии;
ni = 2·10¹⁰ см^-3 – собственная концентрация в кремния;
NA = 4,0·10¹⁶ см^-3 – концентрация акцепторов;
ND = 6,0·10¹⁴ см^-3 – концентрация доноров;
Sпер = 10-6 м² = 10^-2 см² – площадь перехода;
f0 = 50 МГц – резонансная частота контура;
Lк = 60 мкГ – эквивалентная индуктивность контура.

II. Определение зависимости барьерной и диффузионной емкости от напряжения
III. Определение зависимости толщины обедненного слоя от напряжения обратного смещения перехода
IV. Графические зависимости барьерной емкости и толщины обедненного слоя от напряжения обратного смещения перехода
V. Графические зависимости диффузионной емкости от напряжения прямого смещения перехода
VI. Заключение

Всего 21 страница