Расчет параметров каскада по схеме ОЭ

Транзистор включен в усилительный каскад (класс усиления А) по схеме с общим эмиттером при ЭДС источника питания Ек. Характеристики транзистора приведены в таблице. Известны параметры усилительного каскада и усиливаемого сигнала: постоянная составляющая тока базы Iб0, амплитуда переменной составляющей тока базы Iбm, величины сопротивления Rк, сопротивление нагрузки Rн, максимально допустимая мощность Ркmax, нижняя fпн и верхняя fпв частоты полосы пропускания усиливаемых сигналов.
Принять, что каскад работает в нормальных стационарных условиях, поэтому влиянием температуры на режим транзистора можно пренебречь.

Необходимо:
- построить линию Ркmax(Uкэ), как функцию напряжения Uкэ;
- построить линию нагрузки как функцию Iкэ(Rк, Uкэ) по постоянному и переменному току;
- определить постоянные составляющие тока Iк0 и напряжения Uкэ0 коллектора;
- амплитуду переменной составляющей тока коллектора Iк0m;
- амплитуду выходного напряжения Uвыхm;
- коэффициенты усиления KI, KU, KP;
- выходную мощность Рвых.к, мощность, рассеиваемую на нагрузке постоянной составляющей тока коллектора Рк0, полную потреб-ляемую мощность в коллекторной цепи Р0;
- КПД  коллекторной цепи;
- напряжение смещения Uбэ0 и амплитуду входного сигнала Uбэm;
- входную мощность Рвх;
- входное сопротивление сигнала Rвх;
- сопротивление резисторов R1 и R2;
- емкость разделительных конденсаторов С1 и С2, конденсатора в цепи эмиттера Сэ с учетом того, что диапазон усиливаемых колебаний fпн  fпв;
- рассчитать и объяснить физический смысл малосигнальных h-параметров транзистора VТ с учетом его характеристик.

Дано:
Ек = 14 В
Iб0 = 0.3 мА
Rк = 1000 Ом
Rн = 1000 Ом
Iбm = 0.2 мА
Pкmax = 150 мВт
fпн = 80 Гц
fпв = 5 Гц

Предварительный просмотр