Заказ: 1145372

Расчёт параметров диффузии при формировании рабочих областей транзистораФормирование р - карманаФормирование р+ - областей (области стока и истока p-канального транзистора)Формирование n+ - областей (области стока и истока n-канального транзистора)

Расчёт параметров диффузии при формировании рабочих областей транзистораФормирование р - карманаФормирование р+ - областей (области стока и истока p-канального транзистора)Формирование n+ - областей (области стока и истока n-канального транзистора)
Описание

Подробное решение в WORD





Предварительный просмотр

Расчёт параметров диффузии при формировании рабочих областей транзистораФормирование р - карманаФормирование р+ - областей (области стока и истока  p-канального транзистора)Формирование n+ - областей (области стока и истока  n-канального транзистора)