Расчёт статических характеристик и параметров биполярных транзисторов Вариант N1=6 N2=3

Текст задания
1 – построить входные характеристики (выражение 3.1) для двух значений напряжения коллектор – эмиттер = 0В и = 3В, значения напряжения база – эмиттер при этом изменяются в интервале (0,4 – 1)В, а предельное значение тока базы рассчитывается по выражению , значение (предельная величина тока коллектора) выбирается из таблицы 1 для своего варианта задания.
2 – построить входные характеристики при = 3В для трёх значений температуры номинальной, максимальной и минимальной, выбрав эти значения из таблицы 1.
3 – построить семейство (пять кривых для номинальной температуры и пять кривых для минимальной или максимальной температуры) выходных характеристик (выражение 3.2). Семейства выходных характеристик строятся при условиях:
- напряжение задаётся в интервале от 0В до 10В;
- шаг изменения Δ выбирается из выражения , где
соответствует максимальному значению тока базы , определённому при построении входных характеристик;
- значения = Δ n (где n = 1,2,3,4,5 – номер каждой из пяти выходных характеристик) подставляются в выражение (3.2) при построении этих характеристик;
- токи базы, соответствующие каждому из значений = Δ n, определяются по входной характеристике и являются параметром каждой из выходных характеристик;
- если цифра N2 чётная, то выходные характеристики строятся для номинальной и положительной температуры, а если N2 нечётная – то для номинальной и отрицательной температуры (таблица 1).
4 – по построенным характеристикам определить h – параметры исследуемого транзистора. Все необходимые данные для этого приведены на рисунке 3.1 и в формулах (3.3). Эти выражения получены из (2.1) заменой дифференциальных h – параметров на параметры, выраженные в конечных приращениях.

Всего 9 страниц. В комплекте решение в WORD+файл с расчетами MathCad