Технологические процессы микроэлектроники

1 ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ........................................................................................................ 3

2 РАСЧЁТ ТОПОЛОГИИ P-КАНАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ...................................... 4
2.1 Расчет затвора............................................................................................................ 4
2.2 Расчет истока (стока)................................................................................................. 7

3 РАСЧЁТ ТОПОЛОГИИ N-КАНАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ..................................... 8
3.1 Расчет затвора............................................................................................................ 8
3.2 Расчет истока (стока)................................................................................................. 11
3.3 Расчет p-кармана...................................................................................................... 12

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ............................................................ 13

ПРИЛОЖЕНИЕ А.... 14

Предварительный просмотр