Ирина Эланс
Заказ: 1054715
В правильной треугольной пирамиде BMNK с основанием MNK сторона основания равна 6, а высота пирамиды равна 3. На ребрах MN, MK и МВ соответственно отмечены точки F, E и Р, такие, что MF = ME = (√(21))/2 и МР = 7/4.а) Докажите, что плоскости FEP и NBK параллельны.б) Найдите расстояние от точки Р до плоскости NBK.
В правильной треугольной пирамиде BMNK с основанием MNK сторона основания равна 6, а высота пирамиды равна 3. На ребрах MN, MK и МВ соответственно отмечены точки F, E и Р, такие, что MF = ME = (√(21))/2 и МР = 7/4.а) Докажите, что плоскости FEP и NBK параллельны.б) Найдите расстояние от точки Р до плоскости NBK.
Описание
Подробное решение.
- В правильной треугольной пирамиде DABC с основанием АВС сторона основания равна 6√3, а высота пирамиды равна 8. На ребрах АВ, АС и АD соответственно отмечены точки М, N и К, такие, что АМ = AN = (3√3)/2 и АК = 5/2.а) Докажите, что плоскости MNK и DВС параллельны.б) Найдите расстояние от точки К до плоскости DBC.
- В правильной треугольной призме АВСА1В1С1 стороны основания равны 4, а боковые ребра равны 10. Найдите площадь сечения призмы плоскостью, проходящей через середнины ребер АВ, АС, А1В1 и А1С1 (см. рис. 152).
- В правильной треугольной призме АВСАВ1С1 сторона основания АВ равна 8√3, а боковое ребро ААё = 6. На ребре В1С1 отмечена точка L так, что B1L = 2√3. Точки К и М - середины ребер АВ и А1С1 соответственно. Плоскость γ параллельна прямой АС и содержит точки К и L.а) Докажите, что прямая ВМ перпендикулярна плоскости γ.б) Найдите объем пирамиды, вершина которой - точка М, а основание - сечение данной призмы плоскостью γ.
- В правильной четрыехугольной призме MNPQM1N1P1Q1 сторона основания равна 11, а боковое ребро равно 15. На ребрах M1Q1, M1N1 и PQ взяты точки X, Y, Z, соответственно так, что Q1X = N1Y = QZ = 5.а) Пусть С - точка пересечения плоскости XYZ с ребром PN. Докажите, что XYZC - прямоугольник. б) Найдите площадь сечения призмы плоскостью XYZ.
- В правильной четырехугольной пирамиде SABCD сторона основания АВ = 16, высота SO = 6. На апофеме ST грани BSCотмеченв точка К так, что SK = 8. Плоскость γ параллельна прямой ВС и содержит точки К и А.а) Докажите, что расстояние от точки В до плоскости γ равно расстоянию от точки С до плоскости γ.б) Найдите объем пирамиды, вершина которой точка В, а основание - сечение данной пирамиды плоскостью γ.
- В правильной четырехугольной пирамиде SABCD сторона основания АВ = 6, высота SO = 4. На апофеме ST грани BSC отмечена точка К так, что SK = 2. Плоскость γ параллельна прямой ВС и содержит точки K и D. а) Докажите, что расстояние от точки С до плоскости γ равно расстоянию от точки В до плоскости γ.б) Найдите объем пирамиды, вершина которой точка С, а основание - сечение данной пирамиды плоскостью γ.
- В правильной четырехугольной призме ABCDA1B1C1D1 на ребре AD взята точка F так, что AF : FD = 1 : 3.а) Постройте сечение призмы плоскостью, проходящей через точки B1 и F параллельно диагонали АС.б) Найдите угол между плоскостью сечения и плоскостью основания, если BB1 = 5√6, АВ = 8.
- В последовательной цепи, состоящей из катушки сопротивлением Z=51 Ом и емкости 63.6 мкФ возникает резонанс напряжений. К зажимам цепи подведено напряжение U = 100 В, частота f = 50 Гц. Определить: 1) Силу резонансного тока; 2) Напряжение на катушке ULR и на емкости UC
- В последовательной цепи, состоящей из катушки сопротивлением Z=51 Ом и емкости 63.6 мкФ возникает резонанс напряжений. К зажимам цепи подведено напряжение U = 100 В, частота f = 50 Гц. Определить: 1) Силу резонансного тока; 2) Напряжение на катушке ULR и на емкости UC
- В последовательной цепи с сопротивлением и индуктивностью измерили активную мощность Р, ток I, напряжение на зажимах U. Как рассчитать сдвиг по фазе между током и напряжением, используя эти данные? а) φ = arccos((U*I)/P). б) φ = arctg(P/(U*I)) . в) φ = arccos(P/(U*I)) . г) φ = arctg(I/(U*P)) .
- В последовательной цепи с сопротивлением и индуктивностью измерили активную мощность Р, ток I, напряжение на зажимах U. Как рассчитать сдвиг по фазе между током и напряжением, используя эти данные? а) φ = arccos((U*I)/P). б) φ = arctg(P/(U*I)) . в) φ = arccos(P/(U*I)) . г) φ = arctg(I/(U*P)) .
- В последовательном колебательном контуре в начальный момент времени конденсатор заряжен до напряжения 8 В, ток через катушку индуктивности отсутствует. Определите начальные условия для решения дифференциального уравнения, описывающего процесс собственных колебаний в контуре и составленного относительно тока. Параметры колебательного контура: R = 15 Ом, L = 4 мГн, C = 2 нФ.
- В последовательном колебательном контуре в начальный момент времени конденсатор заряжен до напряжения 8 В, ток через катушку индуктивности отсутствует. Определите начальные условия для решения дифференциального уравнения, описывающего процесс собственных колебаний в контуре и составленного относительно тока. Параметры колебательного контура: R = 15 Ом, L = 4 мГн, C = 2 нФ.
- В поход на неделю собираются 8 человек. Сколькими способами они могут составить расписание дежурств, если каждый будет дежурить не более одного дня и дежурство длится полный день.
