Ирина Эланс
Заказ: 1147160
Вопрос №14 Частотные характеристики диода зависят от: 1.барьерной емкости диода; 2.времени рассасывания носителей; 3.времени восстановления tв;
Вопрос №14 Частотные характеристики диода зависят от: 1.барьерной емкости диода; 2.времени рассасывания носителей; 3.времени восстановления tв;
Описание
Ответ на вопрос теста
- Вопрос №15 Нарисуйте и обоснуйте вид характеристики холостого хода ГПТ
- Вопрос №15 Нарисуйте и обоснуйте вид характеристики холостого хода ГПТ
- Вопрос №15 Определите ток в нагрузке при следующих параметрах U=5 В, Rн=100 Ом, падение напряжения на диоде 0.6В 1) 0,44 А 2) 0,05 А 3) 0,056 А 4) 0,044 А
- Вопрос №16 Какое устройство называется триггером? Начертите схему симметричного триггера на транзисторах с коллекторно-базовыми связями. Сколько устойчивых состояний имеет триггер? Какие это состояния? В каком режиме находятся транзисторы? Поясните работу схемы в течении 1-го периода. Приведите временные диаграммы работы
- Вопрос №16 Какой тип пробоя полупроводника является необратимым: 1.тепловой; 2.лавинный; 3.туннельный
- Вопрос №17 Барьерная емкость в диоде обусловлена: 1.изменением величины объемного заряда, вызванного изменением прямого напряжения 2.нескомпенсированным зарядом ионизированных атомов примеси
- Вопрос №18 Донорные примеси позволяют получить полупроводники: 1. g-типа 2. n-типа 3. p-типа
- Вопрос №11 Как можно регулировать в широких пределах величину магнитного потока возбуждения МПТ? Как можно изменить на противоположное направление магнитных силовых линий?
- Вопрос №11 Как можно регулировать в широких пределах величину магнитного потока возбуждения МПТ? Как можно изменить на противоположное направление магнитных силовых линий?
- Вопрос №11 Электрический переход в полупроводнике это: 1.переход электрона или дырки из валентной зоны в зону проводимости 2.граничный слой между двумя областями физические характеристики которых существенно различаются 3.прямое смещение p-n перехода
- Вопрос №12 К основным параметрам диода относят: 1.прямое падение напряжения; 2.постоянный обратный ток; 3.максимальный обратный ток; 4.максимальный прямой ток; 5.максимальное обратное напряжение; 6.время восстановления запирающих свойств диода; 7.номинальный прямой ток; 8.максимальная рабочая частота; 9.прямое падение напряжения;
- Вопрос №13 Работа полупроводникового диода и транзистора основана на 1.p+-p- переходе (знак + показывает, что концентрация примесей в этом слое больше) 2.переходе металл - полупроводник 3.p-n переходе 4.n+-n- переходе (знак + показывает, что концентрация примесей в этом слое больше)
- Вопрос №14 Рассмотрите процесс преобразования энергии в генераторном и двигательном режимах. Для обоих режимов запишите баланс мощности
- Вопрос №14 Рассмотрите процесс преобразования энергии в генераторном и двигательном режимах. Для обоих режимов запишите баланс мощности
