Ирина Эланс
Заказ: 1147164
Вопрос №17 Барьерная емкость в диоде обусловлена: 1.изменением величины объемного заряда, вызванного изменением прямого напряжения 2.нескомпенсированным зарядом ионизированных атомов примеси
Вопрос №17 Барьерная емкость в диоде обусловлена: 1.изменением величины объемного заряда, вызванного изменением прямого напряжения 2.нескомпенсированным зарядом ионизированных атомов примеси
Описание
Ответ на вопрос теста
- Вопрос №18 Донорные примеси позволяют получить полупроводники: 1. g-типа 2. n-типа 3. p-типа
- Вопрос №18 Начертите схему для снятия статических характеристик транзистора при его включении с общей базой (ОБ). Сравните значения выходных сопротивлений транзистора при различных схемах включения.
- Вопрос №19 Что такое класс диода? 1.падение напряжения на диоде, который определяется как 0,1В, умноженное на цифру класса; 2.максимальный ток диода, который определяется как 10А, умноженное на цифру класса; 3.максимальное обратное напряжение, который определяется как 100В, умноженное на цифру класса;
- Вопрос №1 Процесс исчезновение пар носителей зарядов в полупроводниках называют: 1.обеднение 2.рекомбинация 3.диффузия 4.термогенерация
- Вопрос №20 Как называется область разрешённых электронных состояний в твёрдом теле 1.зона проводимости 2.запрещенная зона 3.валентная зона
- Вопрос № 20 Проверка законностеи удержания из заработной платы.
- Вопрос №21 Приведите схему включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) в динамическом режиме и поясните её. Покажите направления протекания токов. Перечислите параметры динамического режима
- Вопрос №14 Рассмотрите процесс преобразования энергии в генераторном и двигательном режимах. Для обоих режимов запишите баланс мощности
- Вопрос №14 Частотные характеристики диода зависят от: 1.барьерной емкости диода; 2.времени рассасывания носителей; 3.времени восстановления tв;
- Вопрос №15 Нарисуйте и обоснуйте вид характеристики холостого хода ГПТ
- Вопрос №15 Нарисуйте и обоснуйте вид характеристики холостого хода ГПТ
- Вопрос №15 Определите ток в нагрузке при следующих параметрах U=5 В, Rн=100 Ом, падение напряжения на диоде 0.6В 1) 0,44 А 2) 0,05 А 3) 0,056 А 4) 0,044 А
- Вопрос №16 Какое устройство называется триггером? Начертите схему симметричного триггера на транзисторах с коллекторно-базовыми связями. Сколько устойчивых состояний имеет триггер? Какие это состояния? В каком режиме находятся транзисторы? Поясните работу схемы в течении 1-го периода. Приведите временные диаграммы работы
- Вопрос №16 Какой тип пробоя полупроводника является необратимым: 1.тепловой; 2.лавинный; 3.туннельный
