Определить заряд, прошедший по проводу с сопротивлением r = 3 Ом при равномерном нарастании напряжения на концах провода от U1 = 2 В до U2 = 4 В в течение времени t = 20 с. (20 Кл) (Решение → 78024)

Описание

Определить заряд, прошедший по проводу с сопротивлением r = 3 Ом при равномерном нарастании напряжения на концах провода от U1 = 2 В до U2 = 4 В в течение времени t = 20 с.

(20 Кл)

(полное условие в демо-файлах)

    
            Описание
            Определить заряд, прошедший по проводу с сопротивлением r = 3 Ом при равномерном нарастании напряжения на концах провода от U1 = 2 В до U2 = 4 В в течение времени t = 20 с.(20 Кл)(полное условие в демо-файлах)   
            
            
            Определить зарядовое Z и массовое A числа изотопа, который получается из тория 232Th90 после трех альфа- и двух бета-превращений.Определить заряд, прошедший по проводу с сопротивлением r = 3 Ом при равномерном нарастании напряжения на концах провода от U1 = 2 В до U2 = 4 В в течение времени t = 20 с.  (20 Кл)Определить заряд, прошедший по резистору с сопротивлением 1 Ом, при равномерном возрастании напряжения на концах резистора от 1 до 3 В в течение 10 с.Определить знак угловой скорости звена АВ в положении механизма, изображённом на рисунке. Звено ОА вращается в направлении, указанном стрелкой, ускоренно. Угол между звеном ОА и звеном АВ равен 90 о. Звено АВ вставлено в прорезь цилинОпределить значение и направление тока через сопротивление R = 5 Ом в схеме на рисунке, если ЭДС источников e1 = 1,5 В, e2 = 3,7 В и сопротивления R1 = 10 Ом, R2 = 20 Ом. Внутренним сопротивлением источников тока пренебречь.Определить значение потенциала f гравитационного поля на поверхности Земли и Солнца.Определить изменение DS энтропии при изотермическом расширении водорода массой m = 6 г от давления p1 = 100 кПа до давления p2 = 50 кПа.Определить ёмкость коаксиального кабеля длиной 10 м, если радиус его центральной жилы r1 = 1 см, радиус оболочки r2 = 1,5 см, а изоляционными материалом служит резинаОпределить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить зависимость диффузии D от температуры T при изобарическом процессе; при изохорическом процессе.Определить зависимость коэффициента внутреннего трения от давления при следующих процессах:  1) изотермическом;  2) изохорическом.  	Изобразить эти зависимости на графиках.Определить зависимость коэффициента внутреннего трения от давления при следующих процессах:  1) изотермическом;  2) изохорическом.             Изобразить эти зависимости на графиках.