Определить заряд, прошедший по резистору с сопротивлением 1 Ом, при равномерном возрастании напряжения на концах резистора от 1 до 3 В в течение 10 с. (Решение → 78023)

Описание

Определить заряд, прошедший по резистору с сопротивле­нием 1 Ом, при равномерном возрастании напряжения на концах резистора от 1 до 3 В в течение 10 с.

(полное условие в демо-файлах)

Описание Определить заряд, прошедший по резистору с сопротивле­нием 1 Ом, при равномерном возрастании напряжения на концах резистора от 1 до 3 В в течение 10 с.(полное условие в демо-файлах) Определить заряд, прошедший по проводу с сопротивлением r = 3 Ом при равномерном нарастании напряжения на концах провода от U1 = 2 В до U2 = 4 В в течение времени t = 20 с. (20 Кл)Определить заряд, прошедший по резистору с сопротивлением 1 Ом, при равномерном возрастании напряжения на концах резистора от 1 до 3 В в течение 10 с.Определить знак угловой скорости звена АВ в положении механизма, изображённом на рисунке. Звено ОА вращается в направлении, указанном стрелкой, ускоренно. Угол между звеном ОА и звеном АВ равен 90 о. Звено АВ вставлено в прорезь цилинОпределить значение и направление тока через сопротивление R = 5 Ом в схеме на рисунке, если ЭДС источников e1 = 1,5 В, e2 = 3,7 В и сопротивления R1 = 10 Ом, R2 = 20 Ом. Внутренним сопротивлением источников тока пренебречь.Определить значение потенциала f гравитационного поля на поверхности Земли и Солнца.Определить изменение DS энтропии при изотермическом расширении водорода массой m = 6 г от давления p1 = 100 кПа до давления p2 = 50 кПа.Определить изменение S энтропии при изотермическом расширении кислорода массой m=10 г от объема V1=25 л до объема V2= 100 л.Определить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить зависимость диффузии D от температуры T при изобарическом процессе; при изохорическом процессе.Определить зависимость коэффициента внутреннего трения от давления при следующих процессах: 1) изотермическом; 2) изохорическом. Изобразить эти зависимости на графиках.Определить зависимость коэффициента внутреннего трения от давления при следующих процессах: 1) изотермическом; 2) изохорическом. Изобразить эти зависимости на графиках. Определить запас устойчивой работы центробежного нагнетателя.

Описание Определить заряд, прошедший по резистору с сопротивле­нием 1 Ом, при равномерном возрастании напряжения на концах резистора от 1 до 3 В в течение 10 с.(полное условие в демо-файлах) Определить заряд, прошедший по проводу с сопротивлением r = 3 Ом при равномерном нарастании напряжения на концах провода от U1 = 2 В до U2 = 4 В в течение времени t = 20 с. (20 Кл)Определить заряд, прошедший по резистору с сопротивлением 1 Ом, при равномерном возрастании напряжения на концах резистора от 1 до 3 В в течение 10 с.Определить знак угловой скорости звена АВ в положении механизма, изображённом на рисунке. Звено ОА вращается в направлении, указанном стрелкой, ускоренно. Угол между звеном ОА и звеном АВ равен 90 о. Звено АВ вставлено в прорезь цилинОпределить значение и направление тока через сопротивление R = 5 Ом в схеме на рисунке, если ЭДС источников e1 = 1,5 В, e2 = 3,7 В и сопротивления R1 = 10 Ом, R2 = 20 Ом. Внутренним сопротивлением источников тока пренебречь.Определить значение потенциала f гравитационного поля на поверхности Земли и Солнца.Определить изменение DS энтропии при изотермическом расширении водорода массой m = 6 г от давления p1 = 100 кПа до давления p2 = 50 кПа.Определить изменение S энтропии при изотермическом расширении кислорода массой m=10 г от объема V1=25 л до объема V2= 100 л.Определить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить зависимость диффузии D от температуры T при изобарическом процессе; при изохорическом процессе.Определить зависимость коэффициента внутреннего трения от давления при следующих процессах: 1) изотермическом; 2) изохорическом. Изобразить эти зависимости на графиках.Определить зависимость коэффициента внутреннего трения от давления при следующих процессах: 1) изотермическом; 2) изохорическом. Изобразить эти зависимости на графиках. Определить запас устойчивой работы центробежного нагнетателя.

Описание Определить заряд, прошедший по резистору с сопротивле­нием 1 Ом, при равномерном возрастании напряжения на концах резистора от 1 до 3 В в течение 10 с.(полное условие в демо-файлах) Определить заряд, прошедший по проводу с сопротивлением r = 3 Ом при равномерном нарастании напряжения на концах провода от U1 = 2 В до U2 = 4 В в течение времени t = 20 с. (20 Кл)Определить заряд, прошедший по резистору с сопротивлением 1 Ом, при равномерном возрастании напряжения на концах резистора от 1 до 3 В в течение 10 с.Определить знак угловой скорости звена АВ в положении механизма, изображённом на рисунке. Звено ОА вращается в направлении, указанном стрелкой, ускоренно. Угол между звеном ОА и звеном АВ равен 90 о. Звено АВ вставлено в прорезь цилинОпределить значение и направление тока через сопротивление R = 5 Ом в схеме на рисунке, если ЭДС источников e1 = 1,5 В, e2 = 3,7 В и сопротивления R1 = 10 Ом, R2 = 20 Ом. Внутренним сопротивлением источников тока пренебречь.Определить значение потенциала f гравитационного поля на поверхности Земли и Солнца.Определить изменение DS энтропии при изотермическом расширении водорода массой m = 6 г от давления p1 = 100 кПа до давления p2 = 50 кПа.Определить изменение S энтропии при изотермическом расширении кислорода массой m=10 г от объема V1=25 л до объема V2= 100 л.Определить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить ёмкость цилиндрического конденсатора с диэлектриком с диэлектрической проницаемостью e. Высота конденсатора h, радиусы обкладок – r1 и r2.Определить зависимость диффузии D от температуры T при изобарическом процессе; при изохорическом процессе.Определить зависимость коэффициента внутреннего трения от давления при следующих процессах: 1) изотермическом; 2) изохорическом. Изобразить эти зависимости на графиках.Определить зависимость коэффициента внутреннего трения от давления при следующих процессах: 1) изотермическом; 2) изохорическом. Изобразить эти зависимости на графиках. Определить запас устойчивой работы центробежного нагнетателя.