Ирина Эланс
305. Уравнение изменения тока в колебательном контуре в единице СИ имеет вид 
. Индуктивность контура равна 1 Гн. Определите, емкость контура и максимальные значения энергий электрического и магнитного полей. (Решение → 619)
Описание
Вариант 3.
3.1. От каких факторов, указанных ниже зависит концентрация дырок в примесном полупроводнике р – типа?
1) Величины энергетического интервала между акцепторным уровнем и валентной зоной.
2) Температуры.
3) Ширины зоны проводимости.
4) Ширины валентной зоны.
Выберите верные ответы и обоснуйте их.
Решение:
3.2. На рисунке изображена зависимость натурального логарифма электропроводности от обратной температуры для двух полупроводников, с разной концентрацией примеси.
Из нижеприведенных утверждений выберите верные для данного случая и поясните свой выбор.
1) Эти полупроводники имеют разную энергию активации собственных носителей тока.
2) Энергии активации носителей в области примесной проводимости полупроводников совпадают.
3) Ширина запрещенной зоны проводимости полупроводников (Еg) в полупроводнике А больше, чем в полупроводнике В.
4) Температура начала собственной проводимости в полупроводнике А выше, чем в полупроводнике В.
Проанализируйте все утверждения и укажите верные.
Решение:
3.3. Определить (в эВ) минимальную энергию Eg, необходимую для образования пары электрон-дырка в некотором собственном полупроводнике, если при повышении температуры от T1 = 400 К до
T2 = 430 К его удельная электропроводность σ возрастает в e раз ( e - основание натуральных логарифмов).
Решение:
3.4. На рисунке изображена вольт - амперная характеристика собственного полупроводника. Выберите какие утверждения являются верными для этого случая.
1) На линейном участке 0А сопротивление образца не изменяется.
2) на нелинейном участке АВ сопротивление образца возрастало.
3) Точке В соответствует более высокая температура образца, чем точке С.
4) Концентрация носителей тока остается постоянной.
На какие вопросы вы ответили «да, верно»? Укажите сумму их номеров
Решение:
3.5. Для закиси меди, являющейся акцепторным полупроводником, получены следующие значения удельного сопротивления при различных температурах:
Т К 286 345 455 556 667 833
ρ Ом•м 1220 349 100 22,3 1,83 0,15
Построив соответствующий график, найдите ширину запрещенной зоны Еg данного полупроводника, а также энергию активации примесных носителей заряда.
3.6. Красная граница внутреннего фотоэффекта полупроводника соответствует длине волны λ = 2,484 •10-6 м.Найдите ширину запрещенной зоны полупроводника и температурный коэффициент сопротивления α при температуре Т= 50 К. Поясните смысл знака коэффициента α.
3.1. От каких факторов, указанных ниже зависит концентрация дырок в примесном полупроводнике р – типа?
1) Величины энергетического интервала между акцепторным уровнем и валентной зоной.
2) Температуры.
3) Ширины зоны проводимости.
4) Ширины валентной зоны.
Выберите верные ответы и обоснуйте их.
Решение:
3.2. На рисунке изображена зависимость натурального логарифма электропроводности от обратной температуры для двух полупроводников, с разной концентрацией примеси.
Из нижеприведенных утверждений выберите верные для данного случая и поясните свой выбор.
1) Эти полупроводники имеют разную энергию активации собственных носителей тока.
2) Энергии активации носителей в области примесной проводимости полупроводников совпадают.
3) Ширина запрещенной зоны проводимости полупроводников (Еg) в полупроводнике А больше, чем в полупроводнике В.
4) Температура начала собственной проводимости в полупроводнике А выше, чем в полупроводнике В.
Проанализируйте все утверждения и укажите верные.
Решение:
3.3. Определить (в эВ) минимальную энергию Eg, необходимую для образования пары электрон-дырка в некотором собственном полупроводнике, если при повышении температуры от T1 = 400 К до
T2 = 430 К его удельная электропроводность σ возрастает в e раз ( e - основание натуральных логарифмов).
Решение:
3.4. На рисунке изображена вольт - амперная характеристика собственного полупроводника. Выберите какие утверждения являются верными для этого случая.
1) На линейном участке 0А сопротивление образца не изменяется.
2) на нелинейном участке АВ сопротивление образца возрастало.
3) Точке В соответствует более высокая температура образца, чем точке С.
4) Концентрация носителей тока остается постоянной.
На какие вопросы вы ответили «да, верно»? Укажите сумму их номеров
Решение:
3.5. Для закиси меди, являющейся акцепторным полупроводником, получены следующие значения удельного сопротивления при различных температурах:
Т К 286 345 455 556 667 833
ρ Ом•м 1220 349 100 22,3 1,83 0,15
Построив соответствующий график, найдите ширину запрещенной зоны Еg данного полупроводника, а также энергию активации примесных носителей заряда.
3.6. Красная граница внутреннего фотоэффекта полупроводника соответствует длине волны λ = 2,484 •10-6 м.Найдите ширину запрещенной зоны полупроводника и температурный коэффициент сопротивления α при температуре Т= 50 К. Поясните смысл знака коэффициента α.
- 305. По тонкому кольцу радиусом R = 20 см течет ток I = 100 А. Определить магнитную индукцию В на оси кольца в точке А (см. рис.). Угол = π/3. 325. Заряженная частица прошла ускоряющую разность потенциаловриант 5)
- 305. Уравнение изменения тока в колебательном контуре в единице СИ имеет вид
- 30. Рассчитайте ΔᵣHº₂₉₈ и ΔᵣSº₂₉₈ реакции окисления нафталина C₁₀H₈(к) + 12O₂(г) → 10CO₂(г) + 4H₂O(г). Возможно ли протекание этой реакции при стандартных условиях? Изменится ли направление реакции: а) при нагревании; б) при охлаждении?
- 30. Сколько электронов на внешнем энергетическом уровне в атоме ₄₉In? Покажите их расположение в квантовых ячейках и охарактеризуйте квантовыми числами.
- 30. Стадии производства по делам об административных правонарушениях.
- 3-10. Исследовать поток заданный потенциалом скорости φ = 2(х2-у2).
- 3-15 Определим порядок кинетического уравнения реакции, если концентрация амилацетата в ходе кислотного гидролиза изменялась следующим образом
- 2 теста по экономике организаций
- 2. Укажите структурные составляющие сплавов, находящиеся во всех областях диаграммы Pb-Sb. Диаграмму Pb-Sb начертите в масштабе.
- 30.09.2010 общество с ограниченной ответственностью «Инновационные технологии» (далее – Общество) обратилось в Министерство экономики Омской
- 300. Проволочный виток радиусом R = 50 см расположен в плоскости магнитного меридиана. В центре витка установлена небольшая магнитная стрелка, способная вращаться вокруг вертикальной оси. На какой угол отклонится стрелка, если по витку пустить ток силой I = 20 А? Горизонтальную составляющую индукции земного магнитного поля принять равной B = 20 мкТл.
- 302. Записать уравнение колебаний силы тока в цепи идеального электрического контура с индуктивностью L=0.33 Гн и емкостью С=0.46 мкФ, если колебания заряда происходят по закону синуса с амплитудой qm 2,3*107 Кл и с начальной фазой π/6. Найти значение энергии магнитного поля катушки в начальный момент времени и для t=Т/12, где Т — период колебаний. Чему равна полная энергия электромагнитных колебаний в системе?
- 302. По трём бесконечно длинным параллельным проводникам текут токи I1 = I2 = I и I3 = 2I. Токи I1 и I2 текут в одном направлении, а ток I3 – в противоположном. На рис. изображено сечение трёх проводников с током плоскостью чертежа. Расстояние АВ = 6 см, ВС = 8 см. Найти точку на прямой АС, в которой индукция магнитного поля, вызванного токами I1, I2, I3, равна нулю.
- 304. По длинному вертикальному проводу сверху вниз идёт ток I = 10 А. На каком расстоянии r от него индукция магнитного поля, получающаяся от сложения магнитного поля Земли и поля тока, направлена вертикально вверх? Горизонтальная составляющая поля Земли Bгор = 20 мкТл.
