Исследование электропроводности полупроводников Цель работы: Исследовать температурную зависимость электропроводности полупроводников. (Решение → 15574)

Заказ №39164

Заказ №39164

Исследование электропроводности полупроводников Цель работы: Исследовать температурную зависимость электропроводности полупроводников. В отличие от металлов, в собственных полупроводниках при абсолютном нуле в зоне проводимости носители заряда отсутствуют1. С повышением температуры число носителей значительно возрастает. Подвижность носителей µ в области низких температур из-за рассеяния на ионах примеси пропорциональна Т3/2. В области высоких температур основное значение имеет рассеяние на тепловых колебаниях решетки (фононах) и µ~Т−3/2 т.е. подвижность с ростом температуры уменьшается. Но так как концентрация свободных носителей заряда с ростом температуры увеличивается значительно быстрее, чем уменьшается где 𝜎0 – от температуры не зависит; ∆𝐸 – энергия активация примеси (или ширина запрещенной зоны); 𝑘 – постоянная Больцмана; - – коэффициент температурной чувствительности, который определяется структурой полупроводника и является характеристикой исследуемого материала. Сопротивление полупроводников с ростом температуры убывает по экспоненциальному закону где 𝑅0 – условное сопротивление полупроводника при Т→ ∞; Экспериментальные кривые ln 𝑅 = 𝑓(T) являются почти прямыми линиями (рис.1) Рис. 1. Зависимость сопротивления полупроводника от температуры Значение коэффициента температурной чувствительности. В можно определить экспериментально, измерив сопротивления собственного полупроводника на линейном участке (рис.1) при двух температурах Т1 и Т2: Деля почленно выражения (3) и (4) и затем, логарифмируя, получим Чтобы охватить весь диапазон R(T), на практике вместо формулы (2) часто используют зависимость Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового образца имеет ярко выраженный нелинейный характер. Типичный ее вид показан на рис. 2. На ней можно выделить три основных участка: ОА, АВ, ВС. На участке ОА характеристика линейна, так как мощность, выделяющаяся в образце, мала и не изменяет его температуру. На участке АВ линейность нарушается, так как с повышением тока мощность рассеяния увеличивается, температура образца повышается, следовательно, сопротивление его уменьшается. При некотором значении тока кривая достигает максимума, и в небольшом интервале напряжение на образце остается постоянным, так как относительное увеличение тока становится равным вызванному им относительному понижению сопротивления. На участке ВС при дальнейшем увеличении тока уменьшение сопротивления оказывается столь сильным, что рост тока ведет к уменьшению напряжения на образце, и появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Рис. 2. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового образца Резкая зависимость сопротивления полупроводника от температуры используется для устройства большого класса полупроводниковых терморезисторов и термисторов. Малые габариты, высокая механическая прочность и надежность, большой срок службы и высокая чувствительность терморезисторов определили широкое применение их в приборах для измерения и регулирования температуры, температурной компенсации элементов электрических цепей, измерения мощности электромагнитного излучения и т.д. Электрическая схема Расчетные формулы: Закон Ома U U I R R I    1 2 1 2 1 2 ln T T R B T T R   

Измерения и расчеты

I=2 мА=2∙10-3 А № п/п Т, К U, В 1/Т, К-1 R, Ом lnR 1 295 1,296 0,00339 648 6,474 2 300 1,017 0,00333 508,5 6,231 3 322 0,390 0,00311 195 5,273 4 330 0,259 0,00303 129,5 4,864 5 347 0,140 0,00288 70 4,248 6 362 0,072 0,00276 36 3,584 7 372 0,057 0,00269 28,5 3,350 8 381 0,035 0,00263 17,5 2,862 9 388 0,032 0,00258 16 2,773