Определить ток идеализированного диода, текущий в цепи, представленной на рис. 6.а. Вычислить напряжение, соответствующее этому току, определить дифференциальное сопротивление rдиф = ∆U/∆I в точке полученного тока и напряжения. Диод включен в прямом направлении. Величину сопротивления R, напряжение Е и температуру ТК взять из табл. 1 Вариант 24 Дано S = 1,1·10-4 см2; ni = 2,8·1012 см-3; Dn = 25 (см2)/с; Δ = 0,8·10-3 см; Nд = 5·1013 см-3; Na = 7·1019 см-3; Материал:Si; m = 2; T = 280+80° К; Iпр = 16 мА; R = 0,8 кОм; E = 4 В;

Для решения задачи построить вольт-амперную характеристику (ВАХ) диода рис.6.б. Расчет можно начинать для Ge с 0,1 В, для диода Шоттки с 0,2 В, для In с 0,3 В, для Si с 0,4 В, для AsGa c 0,5 B. Начало координат сдвинуть на указанное значение вольт. Ось напряжения "растянуть" так, чтобы вся она укладывалась в 0,2 В. Напряжение задавать через 0,02 В пока ток не достигнет 1 мA, после этого напряжение задавать через 0,01 мA, пока ток не достигнет значения, указанного в таблице 1 для выбранного варианта. Для удобства построения и последующих расчетов данные следует свести в таблицу. Перенести ВАХ в координаты Iпр = f(Uпр), как показано на рис. 6.б и провести нагрузочную прямую. Определить ток и напряжение. Полученный ток отметить на ВАХ диода рис.6.в. Задать изменение напряжения на 0,02 В, при этом ∆U = 0,02 B. По графику или по таблице определить соответствующее изменение тока, которое даст ∆I. Определить r_диф

Предварительный просмотр