По заданному при комнатной температуре значению тока I0=3·10-6 А в идеальном несимметричном p+-n переходе, площадью S=0,1 см2. Определить :

1. Материал (Si или Ge), из которого выполнен переход.
2. Тип и концентрацию не основных носителей заряда в базе.
3. Тип и концентрацию примеси, а так же тип и концентрацию основных носителей заряда в базе.
4. Тип и концентрацию основных и не основных носителей заряда в эмиттере, а так же тип и концентрацию примеси, внесённой в область эмиттера.
5. Контактную разность потенциалов φк для двух значений температур: t1 – комнатная, t2=t1+Δt
6. L – ширину обеднённой области или p-n перехода эмиттер-база. Сделать вывод о влиянии концентрации примеси на L для симметричного и несимметричного p-n – переходов. Изобразить заданный p-n переход.
7. Записать условие электрической нейтральности для областей эмиттера и базы, а так же для всей системы в состоянии равновесия.
8. Приложить к заданному p-n – переходу сначала прямое, потом обратное напряжение и на одном графике построить вольтамперные характеристики (ВАХ) для двух значений температур t2 и t1 (см п.5). Пояснить влияние температуры на прямую и обратную ветви ВАХ
9. Начертить зонные диаграммы в равновесном состоянии, а так же при прямом и обратном напряжении.
10. Рассчитать вольт-фарадные характеристики для барьерной Сбар. и диффузной Сдиф. емкостей.
11. Рассчитать R0 сопротивление постоянному току и rдиф переменному току на прямой ветви в точке, соответствующей Iпр = 10 mA, и обратной ветви в точке, соответствующей U =- 1 В. По результатам расчета сделать вывод о самом главном свойстве p – n – перехода.
12. Начертить мало-сигнальную электрическую модель заданного p – n – перехода для двух точек.

Подробное решение. В комплекте - пояснительная записка. файл расчетов MathCad, файлы-исходники для построения графиков в Advanced Grapher