По заданному при комнатной температуре значению тока I0=9·10-6 А в идеальном несимметричном p+-n переходе, площадью S=0,1 см2. Определить : 1. Материал (Si или Ge), из которого выполнен переход. 2. Тип и концентрацию не основных носителей заряда в базе. 3. Тип и концентрацию примеси, а так же тип и концентрацию основных носителей заряда в базе. 4. Тип и концентрацию основных и не основных носителей заряда в эмиттере, а так же тип и концентрацию примеси, внесённой в область эмиттера. 5. Контактную разность потенциалов φк для двух значений температур: t1 – комнатная, t2=t1+Δt 6. L – ширину обеднённой области или p-n перехода эмиттер-база. Сделать вывод о влиянии концентрации примеси на L для симметричного и несимметричного p-n – переходов. Изобразить заданный p-n переход. 7. Записать условие электрической нейтральности для областей эмиттера и базы, а так же для всей системы в состоянии равновесия. 8. Приложить к заданному p-n – переходу сначала прямое, потом обратное напряжение и на одном графике построить вольтамперные характеристики (ВАХ) для двух значений температур t2 и t1 (см п.5). Пояснить влияние температуры на прямую и обратную ветви ВАХ 9. Начертить зонные диаграммы в равновесном состоянии, а так же при прямом и обратном напряжении. 10. Рассчитать вольт-фарадные характеристики для барьерной Сбар. и диффузной Сдиф. емкостей.