Ирина Эланс
Заказ: 1151119
По заданным вольтамперным характеристикам нелинейных резисторов и значениям заданных величин (ЭДС, напряжений или тока) рассчитать методом двух узлов указанные величины (напряжения или токи) в приведённой ниже схеме, содержащей нелинейные резисторы и источники постоянной ЭДС, Дано: Е1 = 12 В, Е2 = 6 В Uab = 10 В Найти: I1, I2, I3, E3
По заданным вольтамперным характеристикам нелинейных резисторов и значениям заданных величин (ЭДС, напряжений или тока) рассчитать методом двух узлов указанные величины (напряжения или токи) в приведённой ниже схеме, содержащей нелинейные резисторы и источники постоянной ЭДС, Дано: Е1 = 12 В, Е2 = 6 В Uab = 10 В Найти: I1, I2, I3, E3
Описание
Подробное решение в WORD
Метод двух узлов
- По заданным временным диаграммам синтезируйте симметричный (на основе конъюнктивной бистабильной ячейки) триггер с потенциальным управлением. В качестве элементной базы используйте элементы И-НЕ. Определите Тз.тр, Ттр, Fтр.
- По заданным в табл. 1.2 параметрам линии ( R0, L0, G0, C0 ), частоте f, длине линии l, комплексным значениям напряжения U2 и тока I2 в конце линии, сопротивлению нагрузки ZН требуется: 1. Рассчитать напряжение U1 и ток I1 в начале линии, активную Р и полную S мощности в начале и в конце линии, а также КПД линии. 2. Полагая, что линия п. 1 стала линией без потерь ( R0 = G0 = 0), а нагрузка на конце линии стала активной и равной модулю комплексной нагрузки в п. 1, определить напряжение U1 и ток I1 в начале линии, а также длину электромагнитной волны λ. 3. Для линии без потерь (п. 2) построить график распределения действующего значения напряжения вдоль линии в функции координаты x, отсчитываемой от конца линии. Вариант 17
- По заданным в табл. 1.2 параметрам линии ( R0, L0, G0, C0 ), частоте f, длине линии l, комплексным значениям напряжения U2 и тока I2 в конце линии, сопротивлению нагрузки ZН требуется: 1. Рассчитать напряжение U1 и ток I1 в начале линии, активную Р и полную S мощности в начале и в конце линии, а также КПД линии. 2. Полагая, что линия п. 1 стала линией без потерь ( R0 = G0 = 0), а нагрузка на конце линии стала активной и равной модулю комплексной нагрузки в п. 1, определить напряжение U1 и ток I1 в начале линии, а также длину электромагнитной волны λ. 3. Для линии без потерь (п. 2) построить график распределения действующего значения напряжения вдоль линии в функции координаты x, отсчитываемой от конца линии. Вариант 17
- По заданным в табл.1 и 2 номинальным диаметрам и посадкам (все три примера): 1. Дать эскизы деталей сопряжения и показать на них номинальный диаметр с предельными отклонениями по ГОСТ 25347-82 и ГОСТ 25346-89. 2. Начертить схему расположения полей допусков деталей, сопрягаемых по данной посадке. На схеме: - показать номинальный диаметр сопряжения с его значением; - обозначить поля допусков и поставить предельные отклонения в мкм; - изобразить графически предельные размеры и допуски отверстия и вала, а также основные характеристики сопряжения с их значениями, которые необходимо рассчитать по предельным отклонениям; - указать предельные размеры отверстия ( Dmin, Dmax) и вала ( dmin, dmax), допуски отверстия и вала (TD и Td). Основные характеристики сопряжения: для посадки с зазором – предельные и средний зазоры ( Smin, Smax, Sm); для посадки с натягом – предельные и средний зазоры ( Nmin, Nmax, Nm); для переходной посадки – наибольшие натяг и зазор (Nmax , Smax) и средний натяг или зазор ( Nm, Sm). Рассчитать по предельным зазорам и натягам допуск посадки ( TS или TN) с проверкой результата по значениям допуска отверстия и вала.
- По заданным в табл. 2 амплитудным значениям напряжения источника питания Vm, начальной фазе напряжения Фm, параметрам элементов ветвей электрической цепи, начертить схему замещения с включенными ваттметров и вольтметром в соответствии с вариантом. Частота f = 50 Гц Выполнить следующее: 1. Определить сопротивление реактивных элементов цепи Xb, Xc, действующие значения токов ветвей I, записать их мгновенные значения i 2. Определить показания ваттметров и вольтметра 3. Составить баланс активной и реактивной мощности 4. Построить в масштабе совмещенную векторную диаграмму токов и напряжений на комплексной плоскости Замечание: источник питания включен между точками 1,3; ваттметр подключен таким образом, чтобы его показания были равны активной мощности всей цепи; ветви 12, 1'2, 23, 2'3' включены параллельно; вольтметр включен между точками схемы в колонке 20 Вариант 19 Дано: Um = 71 B, ψu = 30° R1 = 4 Ом, R3 = 4 Ом,R5 = 3 Ом, R6 = 4 Ом, R7 = R8 = 10 Ом L1= 9.55 мГн, L5 = 20 мГн, C6 = 40 мкФ, L7 = 60 мГн, С8 = 56 мкФ
- По заданным в табл. 2 амплитудным значениям напряжения источника питания Vm, начальной фазе напряжения Фm, параметрам элементов ветвей электрической цепи, начертить схему замещения с включенными ваттметров и вольтметром в соответствии с вариантом. Частота f = 50 Гц Выполнить следующее: 1. Определить сопротивление реактивных элементов цепи Xb, Xc, действующие значения токов ветвей I, записать их мгновенные значения i 2. Определить показания ваттметров и вольтметра 3. Составить баланс активной и реактивной мощности 4. Построить в масштабе совмещенную векторную диаграмму токов и напряжений на комплексной плоскости Замечание: источник питания включен между точками 1,3; ваттметр подключен таким образом, чтобы его показания были равны активной мощности всей цепи; ветви 12, 1'2, 23, 2'3' включены параллельно; вольтметр включен между точками схемы в колонке 20 Вариант 19 Дано: Um = 71 B, ψu = 30° R1 = 4 Ом, R3 = 4 Ом,R5 = 3 Ом, R6 = 4 Ом, R7 = R8 = 10 Ом L1= 9.55 мГн, L5 = 20 мГн, C6 = 40 мкФ, L7 = 60 мГн, С8 = 56 мкФ
- По заданным в табл. 2 амплитудным значениям напряжения источника питания Vm, начальной фазе напряжения Фm, параметрам элементов ветвей электрической цепи, начертить схему замещения с включенными ваттметров и вольтметром в соответствии с вариантом. Частота f = 50 Гц Выполнить следующее: 1. Определить сопротивление реактивных элементов цепи Xb, Xc, действующие значения токов ветвей I, записать их мгновенные значения i 2. Определить показания ваттметров и вольтметра 3. Составить баланс активной и реактивной мощности 4. Построить в масштабе совмещенную векторную диаграмму токов и напряжений на комплексной плоскости Замечание: источник питания включен между точками 1,3; ваттметр подключен таким образом, чтобы его показания были равны активной мощности всей цепи; ветви 12, 1'2, 23, 2'3' включены параллельно; вольтметр включен между точками схемы в колонке 20 Вариант 22 Дано: Um = 86 B, ψu = -30° R1 = 10 Ом, R2 = 4 Ом, R3 = 100 Ом, R5 = R6 = R7 = R8 = 20 Ом L1= 15.9 мГн, L2 = 1000 мГн, L3 = 115 мГн, L6 = 24 мГн, C3 = 100 мкФ, C5 = 120 мкФ, С7= 120 мкФ, C8 = 120 мкФ
- По заданному при комнатной температуре значению тока I0=0.1·10-9 А в идеальном несимметричном p+-n переходе, площадью S=0,1 см2. Определить :
- По заданному при комнатной температуре значению тока I0=0.4·10-6 А в идеальном несимметричном n+-p переходе (четная предпоследняя цифра билета), площадью S=0,1 см2. Δt=20K Определить :
- По заданному при комнатной температуре значению тока I0=0.6·10-9 А в идеальном несимметричном n+-p переходе, площадью S=0,1 см2. Определить :
- По заданному при комнатной температуре значению тока I0=3·10-6 А в идеальном несимметричном p+-n переходе, площадью S=0,1 см2. Определить :
- По заданному при комнатной температуре значению тока I0=3·10-6 А в идеальном несимметричном p+-n переходе, площадью S=0,1 см2. Определить :
- По заданному при комнатной температуре значению тока I0=9·10-6 А в идеальном несимметричном p+-n переходе, площадью S=0,1 см2. Определить : 1. Материал (Si или Ge), из которого выполнен переход. 2. Тип и концентрацию не основных носителей заряда в базе. 3. Тип и концентрацию примеси, а так же тип и концентрацию основных носителей заряда в базе. 4. Тип и концентрацию основных и не основных носителей заряда в эмиттере, а так же тип и концентрацию примеси, внесённой в область эмиттера. 5. Контактную разность потенциалов φк для двух значений температур: t1 – комнатная, t2=t1+Δt 6. L – ширину обеднённой области или p-n перехода эмиттер-база. Сделать вывод о влиянии концентрации примеси на L для симметричного и несимметричного p-n – переходов. Изобразить заданный p-n переход. 7. Записать условие электрической нейтральности для областей эмиттера и базы, а так же для всей системы в состоянии равновесия. 8. Приложить к заданному p-n – переходу сначала прямое, потом обратное напряжение и на одном графике построить вольтамперные характеристики (ВАХ) для двух значений температур t2 и t1 (см п.5). Пояснить влияние температуры на прямую и обратную ветви ВАХ 9. Начертить зонные диаграммы в равновесном состоянии, а так же при прямом и обратном напряжении. 10. Рассчитать вольт-фарадные характеристики для барьерной Сбар. и диффузной Сдиф. емкостей.
- По заданным вольтамперным характеристикам нелинейных резисторов и значениям заданных величин (ЭДС, напряжений или тока) рассчитать методом двух узлов указанные величины (напряжения или токи) в приведённой ниже схеме, содержащей нелинейные резисторы и источники постоянной ЭДС, Дано: Е1 = 12 В, Е2 = 6 В Uab = 10 В Найти: I1, I2, I3, E3
Предварительный просмотр
