Ирина Эланс
Заказ: 1149003
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип полевого транзистора, тип канала, напряжение отсечки, начальное значение тока стока, крутизну стокозатворной характеристики на участке насыщения при Uси = 8 В и дифференциальное сопротивление канала при Uзи = 0 В. (КП313)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип полевого транзистора, тип канала, напряжение отсечки, начальное значение тока стока, крутизну стокозатворной характеристики на участке насыщения при Uси = 8 В и дифференциальное сопротивление канала при Uзи = 0 В. (КП313)
Описание
Подробное решение в WORD
- Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип транзистора, крутизну стокозатворной характеристики и дифференциальное сопротивление канала на участке насыщения и проводимость канала в линейной области при Uзи = 25В. (КП904)
- Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип транзистора, напряжение отсечки, начальное значение тока стока при Uси = -20В, проводимость открытого канала и дифференциальное сопротивление в линейной области при Uзи = 0 В. (КП102И)
- Полевой транзистор имеет три вывода — исток, сток и затвор. Нa рис. 1.11.1 изображена экспериментально снятая проходная характеристика ic(uзи) полевого транзистора КП303Е — зависимость тока стока iс от управляющего напряжения на промежутке затвор — исток. Характеристика получена при постоянном напряжении uси = 10 В. Получите аппроксимацию этой характеристики многочленом 2-й степени на интервале - 1.5 В ≤ uзи ≤ - 0.5 В, т. е. определите числовое значение коэффициентов а0, а1, а2, входящих в выражение ic = a0 + a1(uзи + 1) + a2(uвх + 1)2
- Полевой транзистор КП302В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания Епит =15 В, напряжение затвор-исток UЗИ = - 1 В, сопротивление нагрузки RН = 500 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики найдите ток стока и напряжение сток-исток
- Полевой транзистор - обратный ток и крутизна
- Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом (МОП транзистор). Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры (ответ на теоретический вопрос экзамена)
- Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом имеет ICmax = 2 мА и Uотс = 5 В. Определить ток стока Ic и крутизну S транзистора при напряжении затвора Uзи = -5 В.
- Полагая параметры электрической цепи (см. рис. 1.2) такими же, как в задании 2, рассчитать на частоте источника напряжения параметры четырехполюсника, эквивалентной части цепи, выделенной штриховой линией. Вариант n = 4 m = 9
- Полагая, что в цепи с постоянными токами и напряжениями индуктивность имеет нулевое сопротивление, а емкость – нулевую проводимость, изобразить схему, достаточную для расчета параметров режима цепи при постоянных во времени источниках энергии: e1(t)=E1, e2(t)=E2, J(t)=J. 2. Преобразовать схему до трех контуров, заменив ветви с параллельным и последовательным соединениями резисторов на эквивалентные. 3. Выбрать направления токов в ветвях схемы (в ветвях с источниками ЭДС токи задать по направлению ЭДС). 4. В общем (буквенном) виде составить полную систему уравнений состояния цепи по законам Кирхгофа для расчета токов всех ветвей и напряжения на источнике тока. 5. Методом контурных токов определить токи всех ветвей и (по второму закону Кирхгофа) напряжение на источнике тока. 6. Методом узловых потенциалов (напряжений) определить токи всех ветвей и (по второму закону Кирхгофа) напряжение на источнике тока. 7. Составить баланс мощностей, вычислив суммарную мощность источников энергии, и суммарную мощность, потребляемую резисторами. Небаланс не должен превышать 1 %. 8. Представить схему относительно ветви с сопротивлением R4 эквивалентным генератором и определить параметры последнего (Uхх, Rг , Iкз). Графически и аналитически определить ток в сопротивлении R4. 9. Построить потенциальную диаграмму для любого замкнутого контура, не содержащего источника тока. 10. Результаты расчета токов по трем методам свести в таблицу
- Полагая, что в цепи с постоянными токами и напряжениями индуктивность имеет нулевое сопротивление, а емкость – нулевую проводимость, изобразить схему, достаточную для расчета параметров режима цепи при постоянных во времени источниках энергии: e1(t)=E1, e2(t)=E2, J(t)=J. 2. Преобразовать схему до трех контуров, заменив ветви с параллельным и последовательным соединениями резисторов на эквивалентные. 3. Выбрать направления токов в ветвях схемы (в ветвях с источниками ЭДС токи задать по направлению ЭДС). 4. В общем (буквенном) виде составить полную систему уравнений состояния цепи по законам Кирхгофа для расчета токов всех ветвей и напряжения на источнике тока. 5. Методом контурных токов определить токи всех ветвей и (по второму закону Кирхгофа) напряжение на источнике тока. 6. Методом узловых потенциалов (напряжений) определить токи всех ветвей и (по второму закону Кирхгофа) напряжение на источнике тока. 7. Составить баланс мощностей, вычислив суммарную мощность источников энергии, и суммарную мощность, потребляемую резисторами. Небаланс не должен превышать 1 %. 8. Представить схему относительно ветви с сопротивлением R4 эквивалентным генератором и определить параметры последнего (Uхх, Rг , Iкз). Графически и аналитически определить ток в сопротивлении R4. 9. Построить потенциальную диаграмму для любого замкнутого контура, не содержащего источника тока. 10. Результаты расчета токов по трем методам свести в таблицу
- Полагая, что на каждый атом алюминия в кристалле приходится по 3 свободных электрона, определите максимальную энергию электронов при абсолютном нуле (плотность алюминия ρ = 2,7·103 кг/м3).
- Поле бесконечной заряженной нити
- Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип канала полевого транзистора, начальный ток стока, крутизну стокозатворной характеристики при Uси = 7.5 В и сопротивление канала постоянному току при Uзи = -0.4 В (КП350)
- Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип полевого транзистора, начальный ток стока и крутизну стокозатворной характеристики при Uси = 7.5 В, а также дифференциальное сопротивление канала на участке насыщения при Uзи = -0.2 В (КП350)
Предварительный просмотр
