Ирина Эланс
Заказ: 1147588
Задача № 1.1.8. Определить плотность тока насыщения js в идеальном германиевом р-п переходе, если ni = 2,5∙1013 см–3; Dn = 100 см2/с; Dp = 50 см2/с; Ln = 300 мкм; Lp = 200 мкм; ND = 1015 см–3; NA = 1016 см–3
Задача № 1.1.8. Определить плотность тока насыщения js в идеальном германиевом р-п переходе, если ni = 2,5∙1013 см–3; Dn = 100 см2/с; Dp = 50 см2/с; Ln = 300 мкм; Lp = 200 мкм; ND = 1015 см–3; NA = 1016 см–3
Описание
Подробное решение в WORD
- Задача № 1.2.2. В схеме, изображенной на рисунке, Uп = 5 В; R = 1,6 кОм; UBX = 0,2 В. Определить ток через диоды и напряжение на каждом диоде. Определить дифференциальное сопротивление диодов Rдиф и сопротивление постоянному току Rп. Вольт-амперная характеристика диодов задана.
- Задача № 1.2.4. В схеме, изображенной на рисунке, Uп = 5 В; R = 2 кОм; U1 = 0,5 В; U2 = U3 =3 В. Определить токи через диоды и напряжение на выходе Uвых. Определить дифференциальное сопротивление диодов Rдиф и сопротивление по постоянному току Rп. Вольт-амперная характеристика задана.
- Задача №1-39 из сборника Липатова В какой из цепей можно перемещением движков реостатов регулировать ток приемника энергий от Iп = 0 до Iп = ± U/rв
- Задача №1-39 из сборника Липатова В какой из цепей можно перемещением движков реостатов регулировать ток приемника энергий от Iп = 0 до Iп = ± U/rв
- Задача № 13 Расчет статических параметров биполярного транзистораИспользуя справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам (Изд.4, под общ. ред. Н.Н. Горюнова, «Энергия», Москва, 1978 г.) рассчитать первичные и вторичные параметры транзистора согласно своего варианта (табл. 13.1). Для заданного типа транзистора необходимо графическим и аналитическим способами рассчитать первичные и вторичные параметры транзистора. Для этого на прямолинейных участках ВАХ либо при заданной точке покоя (Iб0, Uк0) нужно построить характеристические треугольники и определить параметры. Статические входные и выходные ВАХ выбираются по справочным данным, а для схемы с общим эмиттером изображены на рис. 13.1, а, Вариант 10 (транзистор КТ315А)
- Задача №14 В сеть переменного тока частотой f = 50 Гц включены параллельно два приемника энергии: первый состоит из активного сопротивления R1 = 15 Ом, второй – из катушки индуктивности с параметрами R2 = 16 Ом и XL2 = 12 Ом, S2 = 180 ВА Определить ток в неразветвленной части цепи I, коэффициент мощности cosϕ, активную P, реактивную Q и полную S мощности цепи. Построить в масштабе векторную диаграмму токов и пояснить ее построение. Вычислить емкость конденсатора С0, который следует включить в схему параллельно имеющимся приемникам энергии, чтобы получить резонанс токов.
- Задача №14 В сеть переменного тока частотой f = 50 Гц включены параллельно два приемника энергии: первый состоит из активного сопротивления R1 = 15 Ом, второй – из катушки индуктивности с параметрами R2 = 16 Ом и XL2 = 12 Ом, S2 = 180 ВА Определить ток в неразветвленной части цепи I, коэффициент мощности cosϕ, активную P, реактивную Q и полную S мощности цепи. Построить в масштабе векторную диаграмму токов и пояснить ее построение. Вычислить емкость конденсатора С0, который следует включить в схему параллельно имеющимся приемникам энергии, чтобы получить резонанс токов.
- Задача 9. Схема приведена на рис. 1. Рассчитайте эквивалентное сопротивление цепи.
- Задача №106 На схеме пронумеровать ветви и узлы. Пронумеровать элементы в ветвях (если в одной ветви находятся несколько одинаковых элементов, то ввести для них двойную нумерацию, через «точку»). Символическим методом записать уравнения по МТВ, МКТ и МУН. Для МКТ выразить токи ветвей, через контурные токи. Для МУН выразить токи ветвей через напряжения между узлами.
- Задача №106 На схеме пронумеровать ветви и узлы. Пронумеровать элементы в ветвях (если в одной ветви находятся несколько одинаковых элементов, то ввести для них двойную нумерацию, через «точку»). Символическим методом записать уравнения по МТВ, МКТ и МУН. Для МКТ выразить токи ветвей, через контурные токи. Для МУН выразить токи ветвей через напряжения между узлами.
- Задача №10Найти значение контактной разности потенциалов φк p-n-перехода в кремнии при комнатной температуре, зная, что удельная электропроводность электронной области σn = 31,2 См/м, а дырочной σp = 225 См/м
- Задача №110 На схеме пронумеровать ветви и узлы. Пронумеровать элементы в ветвях (если в одной ветви находятся несколько одинаковых элементов, то ввести для них двойную нумерацию, через «точку»). Символическим методом записать уравнения по МТВ, МКТ и МУН. Для МКТ выразить токи ветвей, через контурные токи. Для МУН выразить токи ветвей через напряжения между узлами.
- Задача №110 На схеме пронумеровать ветви и узлы. Пронумеровать элементы в ветвях (если в одной ветви находятся несколько одинаковых элементов, то ввести для них двойную нумерацию, через «точку»). Символическим методом записать уравнения по МТВ, МКТ и МУН. Для МКТ выразить токи ветвей, через контурные токи. Для МУН выразить токи ветвей через напряжения между узлами.
- Задача № 1.1.6. Определить: 1) Контактную разность потенциалов φк p-n перехода кремниевого диода;2) Ширину p-n перехода со стороны n- и р- областей dn и dp, а также полную ширину перехода: d= dn+dp;3) Максимальную величину напряженности контактного поля EМ. Известны величины: σn=0,024 Oм-1∙cм-1; σp=4,8 Oм-1∙cм-1; μn=1500 (см2)/(В∙с); μp=250 (см2)/(В∙с); T=300 K. Как изменится высота потенциального барьера φ, если к p-n переходу приложить внешнее напряжение: а) U1=+0,6 B; б) U2=-7 B?
